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J-GLOBAL ID:201602255334511965   整理番号:16A1285791

SiF_4とMg反応による太陽電池級シリコンの製造【Powered by NICT】

Production of solar-grade silicon by the SiF4 and Mg reaction
著者 (3件):
資料名:
巻: 2016  号: PVSC  ページ: 0737-0742  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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結晶Si基板は太陽電池の全コストのかなりの部分を占めているので,太陽電池級シリコンの製造コストを著しく低下させることができる新しいプロセスの開発に投入された実質的な努力。SRI Internationalでは,SiF_4Na反応に基づく生産ソーラーグレードシリコンの低コストプロセスを開発した。このプロセスは,パイロットプラントレベルにスケールアップされ,そのようなシリコン原料を用いて得られた太陽電池は>18%の効率に達した。需要生産能力の継続的増加とMg金属価格の同時低下に起因して,著者らはNa金属の代わりに還元剤としてのその可能性を探究することを決定した。SiF4とMgの間の高速で完全な金属熱反応を得るための実験条件を同定し,反応機構について検討した。反応は不均一系液-気相反応と均一気-気相反応の両方を含んでいる。SiとMgF_2,生成物の分離について述べた。純Mgを使用した場合,溶融分離後に得られたSiは,太陽電池応用に適している可能性を示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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