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J-GLOBAL ID：201602255453385841   整理番号：16A0919470

酸化亜鉛(ZnO)による二硫化モリブデン上の非縮退n型ドーピング現象

Nondegenerate n-type doping phenomenon on molybdenum disulfide (MoS₂) by zinc oxide (ZnO)

著者 (6件)： Kang Dong-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Hong Seong-Taek (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Oh Aely (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea) ,  Kim Seung-Hwan (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, South Korea) ,  Yu Hyun-Yong (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul 136-701, South Korea) ,  Park Jin-Hong (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon 440-746, South Korea)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 82  ページ： 26-30  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,Raman分光法及び電気的/光学的測定(520,655,785及び850nmレーザ源を用いたI_D-V_G)により,ZnOによりMoS₂の非縮退n型ドーピング現象を系統的に研究した。源とMoS₂チャンネルの間の有効障壁高さの低減に起因して,ZnOドーピングはMoS₂ベースのエレクトロニクスの性能のパラメータを改善する。空気への露出過程でのZnOドーピングの効果もモニタし,ΔV_THの約75%の低減を156h後に認める。さらに,MoS₂光検出器の光電子性能はZnOド-ピングに起因する光発生キャリアの組合せ低減により増強される。結果として,ZnOドープの光検出器の最高の光応答性(約3.18×10³ A/W)及び検出率(5.94×10¹²Jones)を520nmレーザ照射に対して認めた。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  硫化モリブデン ,  ドーピング ,  光学的測定 ,  電気測定 ,  ポテンシャル障壁 ,  光電子 ,  亜鉛 ,  層状化合物 ,  光検出器 ,  応答 ,  *半導体 ,  Ramanスペクトル
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  n型ドーピング ,  p型ドーピング ,  電気的測定 ,  光応答 ,  電子材料

著者キーワード (5件)： A. Semiconductor ,  A. Electronic materials ,  A. Layered compounds ,  D. Electrical properties ,  D. Electronic structure

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  電子物性一般  (BM01000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化亜鉛 ,  ZnO ,  二硫化モリブデン ,  縮退 ,  n型ドーピング ,  現象