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J-GLOBAL ID：201602257935363101   整理番号：16A1065984

ガラスリフロープロセスを用いたガラス基板上の高Qスパイラルインダクタの電気的シミュレーションと製作【Powered by NICT】

Electrical simulation and fabrication of high Q spiral inductors on glass substrate using the glass reflow process

著者 (3件)： Chen Hailiang (Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, Southeast University, Nanjing, 210000, China) ,  Jing Xiangmeng (National Center for Advanced Packaging Co.,LTD, Wuxi, 214315, China) ,  Shang Jintang (Key Laboratory of MEMS of Ministry of Education, Southeast University, Nanjing, 210000, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICEPT  ページ： 901-904  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無線通信システムの高集積化,低コストの必要性を満たすために,受動素子は,すべての種類の系に広く用いられている。ガラスリフロープロセスに基づく集積化受動インダクタを製造する革新的な方法を紹介した。IPD(統合受動素子)は3次元EM(電磁)シミュレータソフトウェアHFSS(高周波構造シミュレータ)によりシミュレートした。0GHzから10GHzまで,Q値は200以上で,従来の薄膜インダクタのQ値よりも高かった。インダクタ直径,インダクタの厚み,基板の厚み,インダクタ幅とインダクタ空間を含むスパイラルインダクタのいくつかの重要なパラメータを調べた。最後に,インダクタの製造プロセスを提示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Q値 ,  HF【周波数】 ,  薄膜インダクタ ,  シミュレータ ,  シミュレーション ,  生産工程 ,  三次元
準シソーラス用語： HFSS ,  受動素子 ,  高集積化 ,  無線システム ,  *スパイラルインダクタ ,  *ガラス基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  パターン認識  (JE07000S) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (6件)： ガラス ,  リフロープロセス ,  ガラス基板 ,  スパイラルインダクタ ,  シミュレーション ,  製作