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J-GLOBAL ID:201602258679971368   整理番号:16A1364290

エンジニアリング分極回転によるZrドープBi3.15Nd0.85Ti3O12薄膜の電気的性質の改良

Improving the Electrical Properties of Zr-Doped Bi3.15Nd0.85Ti3O12 Thin Films by Engineering Polarization Rotation
著者 (7件):
資料名:
巻: 45  号:ページ: 3540-3545  発行年: 2016年07月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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化学溶液析出によりNd<sup>3+</sup>/Zr<sup>4+</sup>-共置換チタン酸ビスマス(BNTZ<sub>x</sub>,x=0,0.05,0.1,0.3,0.5)薄膜を作製し,その分極ヒステリシスループ,漏れ電流,およびキャパシタンスバタフライループを調査した。結果は,x=0.1のZr含有量で,容量と残留分極の両方を大幅に改善できることを示している。BNTZ<sub>0.1</sub>膜はまた,3Vの印加電圧にて疲れのない卓越した漏れ電流特性(I≒9.44×10<sup>-</sup>9A)を示す。電気的性質を改良した高品質のc軸配向BNTZ<sub>x=0.1</sub>膜を作製した;この研究結果は,(Appl. Phys. Lett. 102:182901,2013でRoyらによって理論的に提案された)強誘電性チタン酸ビスマスの分極回転の実現可能性を支持するものである。Copyright 2016 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 

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