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J-GLOBAL ID：201602268000311772   整理番号：16A0509844

その場パルスレーザ結晶化Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃薄膜の微細構造の発達

Microstructure Evolution of In Situ Pulsed-Laser Crystallized Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃ Thin Films

著者 (6件)： Rajashekhar Adarsh (Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania, 16802) ,  Zhang Huai-Ruo (Department of Materials Science and Engineering, University of Sheffield, Sheffield, S1 3JD, U.K) ,  Srowthi Bharadwaja (Materials Research Institute, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania, 16802) ,  Reaney Ian M. (Department of Materials Science and Engineering, University of Sheffield, Sheffield, S1 3JD, U.K) ,  Trolier-McKinstry Susan (Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania, 16802) ,  Trolier-McKinstry Susan (Materials Research Institute, Pennsylvania State University, University Park, Pennsylvania, 16802)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 99  号： 1  ページ： 43-50  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)膜の温度敏感基板(CMOS,ポリマー)との統合は,基板温度が400°C以下での成長に有利である。本研究では,パルスレーザ熱処理[Rajashekharら.(2013)Appl.Phys.Lett.,103[3]032908]を使用して結晶性ジルコン酸チタン酸鉛(Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃)薄膜を基板温度が約370°CでPbZr_0.30Ti_0.70)O₃-バッファ白金化シリコン基板上に成長した。透過型電子顕微鏡分析は,この膜が柱状粒に良く結晶化し,気孔が粒界に凝集することを示した。柱状粒の横方向の緻密化は酸素分圧が120から50mTorrに低下すると顕著に改善し,これは増加した衝撃を伴う表面での吸着原子の移動度の促進に起因した。蒸着期間に対する熱処理期間の比率の変化は,縦方向の粒成長にほとんど影響しなかった。しかし,熱処理期間の比率は111 PZTのX線回折ピークをより高い2θ値に移動し,膜の面内残留引張応力を示唆した。熱シミュレーションを使用して熱処理過程を調べた。薄膜の微構造の発達は核形成を決定するパルスレーザからの過渡的加熱で説明され,一方で到達種のエネルギーは粒子の成長/凝集を決定づける。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *パルスレーザ蒸着 ,  結晶化 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  結晶度 ,  温度感受性 ,  CMOS構造 ,  半導体プロセス ,  *基板温度 ,  蒸着膜 ,  バッファ層 ,  白金 ,  ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *薄膜成長 ,  柱状晶 ,  結晶粒界 ,  気孔 ,  緻密化 ,  分圧 ,  酸素 ,  移動度 ,  吸着 ,  熱処理 ,  レーザ加熱 ,  優先配向 ,  残留応力 ,  結晶核形成 ,  微細構造
準シソーラス用語： その場処理

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ ,  結晶化 ,  Pb ,  O3 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  発達