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J-GLOBAL ID：201602268065993647   整理番号：16A0859257

電荷結合内透明集電極IGBのT設計とシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Design and Simulation of Charge Coupled Internal Transparent Collector-IGBT

著者 (7件)： Li Zhe (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Hu Dongqing (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Jin Rui (Dept of Electrical Ergineering New Material and Microelectronics institute, State Grid Smart Electrical Engineering) ,  Jia Yunpeng (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Tan Jian (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Zhou Xuan (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Zhao Bao (College of Electronic Information and Control Engineering, Beijing University of Technology)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 41  号： 2  ページ： 107-113,158  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： あぜ溝絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT),内透明集電極(ITC)技術に基づくゲート静電容量が比較的に大きく、遅いスイッチング速度の問題に従って,電荷のカップリング(CC)の思想をグルーブゲートIGB Tに適用する。シミュレーションツールSAG MEDICを用いてI、電荷結合内透明集電極IGBT (CC-ITC-IGBT)の絶縁破壊特性はターンオン特性とスイッチング特性等に対してシミュレーション研究を行った。重点として電荷結合領域をドーピング濃度と局所キャリア寿命制御領域(LCLC)キャリア寿命のデバイス性能への影響を研究し,通常のグルーブゲート内透明集電極IGBTと対比を行った。その結果,所定のパラメータ範囲内において,新しい構造の高速ターンオフ領域トレードオフ特性曲線がより良く,低導通圧力損失領域では,優位性になりあまり目立たない,従って電荷結合内透明集電極IGBはTより迅速オフ型を行うのに適していた。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア寿命 ,  特性曲線 ,  高速度 ,  圧力損失 ,  シミュレーション ,  IGBT ,  ターンオフ ,  絶縁破壊 ,  結合部位 ,  静電容量 ,  トレードオフ ,  ターンオン ,  *電荷
準シソーラス用語： スイッチング特性 ,  スイッチング速度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： insulated gate bipolar transistor ,  charge coupled ,  internal transparent collector ,  onstate voltage ,  trade-off performance

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電荷 ,  集電極 ,  設計 ,  シミュレーション