文献

J-GLOBAL ID：201602272910619178   整理番号：16A0857423

パルスレーザ堆積調製MGOアモルファス薄膜誘電性質の研究【JST・京大機械翻訳】

The dielectric property of amorphous MgO film prepared by Pulsed Laser Deposition

著者 (3件)： Han Yaping (College of Science,Northeast Forestry University) ,  Feng Jingyan (College of Science,Northeast Forestry University) ,  Wang Jinxin (Center for Condensed Matter Science and Technology,Harbin Institute of Technology)
資料名： Heilongjiang Daxue Ziran Kexue Xuebao  (Heilongjiang Daxue Ziran Kexue Xuebao)
巻： 33  号： 1  ページ： 113-117  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2440A  ISSN： 1001-7011  CODEN： HDZXEQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： パルスレーザ蒸着技術を用いてMGOを高Pコンダクタンス - とSI絶縁体SIO_2上に堆積したアモルファス薄膜,そして,SIO_2上のMGO薄膜に対して透過率およびXRD特性評価を行った。金属-酸化物-半導体(MOS)電界効果トランジスタ構造をP-SI/MGO/AGを構築し,そのC-F曲線を,Ω-K計算で得た曲線を測定し,フィッティング計算によりMGOの誘電定数と等価厚さを得た。SIO_2の等価厚さとの対比を行ったところ,MGOの高K値誘電体格子媒体材料としてSIO_2よりも優れていた。非晶質。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 地盤係数 ,  透過率 ,  半導体 ,  *誘電性 ,  媒質 ,  X線回折 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  FET【トランジスタ】 ,  コンダクタンス ,  キャラクタリゼーション ,  *非晶質 ,  誘電率 ,  絶縁材料 ,  *薄膜 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 誘電体格子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： amorphous MgO film ,  Metal-Oxide-Semiconductor ,  dielectric property ,  equivalent thickness

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ堆積 ,  調製 ,  MgO ,  アモルファス ,  薄膜 ,  誘電性質 ,  研究