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J-GLOBAL ID：201602284472710047   整理番号：16A0888419

二硫化モリブデンの-シリコンヘテロ接合太陽電池のIN SITU調製及びデバイスシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

In-situ fabrication and device simulation of molybdenum disulfidesilicon heterojunction solar cell

著者 (3件)： Li Shenghao (Institute for Solar Energy Systems, Sun Yat-sen University) ,  Dan Yi (Institute for Solar Energy Systems, Sun Yat-sen University) ,  Shen Hui (Institute for Solar Energy Systems, Sun Yat-sen University)
資料名： Keji Daobao  (Keji Daobao)
巻： 34  号： 2  ページ： 39-42  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2950A  ISSN： 1000-7857  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 2次元材料と結晶シリコン形成のヘテロ接合太陽電池を太陽電池の現在の研究のホットスポットの1つであり,大多数の研究はいずれもグラフェンとシリコンに形成されるSCHOTTKY接合太陽電池を集中している。改善するデバイスのバンド構造を,本研究では,有する採用する一定幅のN-MOS_22次元の半導体材料とP-SIヘテロ接合太陽電池の形成をバンド。実験により,MOS_2材料合成に対するアニーリング時間の影響を研究した,そしてMOS_2-SIヘテロ接合の暗電流と光電流曲線に対して測定と分析を行った。ヘテロ接合シミュレーションソフトウェアWX-AMPSによりMOS_2-SIヘテロ接合構造について効率の計算を行うとバンド分析,デバイスの開路電圧に及ぼす薄膜の厚さとキャリア濃度の影響を検討した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  *ヘテロ接合 ,  ホットスポット ,  半導体材料 ,  二次元 ,  暗電流 ,  グラフェン ,  光電流 ,  *ケイ素 ,  焼なまし ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  *デバイスシミュレーション ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： two-dimension material ,  molybdenum disnlfide ,  solar cell ,  heterojunction ,  J-V character

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二硫化モリブデン ,  シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  調製 ,  デバイスシミュレーション