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J-GLOBAL ID：201602284473318934   整理番号：16A0471836

クロスポイントアレイ応用のためのNbO₂絶縁体-金属転移セレクタの統合的なスケーリング研究

Comprehensive scaling study of NbO₂ insulator-metal-transition selector for cross point array application

著者 (6件)： Cha Euijun (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, South Korea) ,  Park Jaehyuk (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, South Korea) ,  Woo Jiyong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, South Korea) ,  Lee Daeseok (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, South Korea) ,  Prakash Amit (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, South Korea) ,  Hwang Hyunsang (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Pohang Univ. of Sci. and Technol., Pohang 790-784, South Korea)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 108  号： 15  ページ： 153502-153502-3  発行年： 2016年04月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化ニオブ ,  *金属-絶縁体転移 ,  *記憶装置 ,  *RAM【メモリ】 ,  *縮小
準シソーラス用語： 絶縁体-金属転移 ,  メモリ ,  ReRAM ,  スケーリングダウン

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応用 ,  絶縁体-金属転移 ,  セレクタ ,  統合 ,  スケーリング ,  研究