文献

J-GLOBAL ID：201602284507527250   整理番号：16A1133622

Zr_0.25Hf_0.75Ni₁₊Sn_1-Sb_yナノ複合体中の不純物状態の分布および電荷輸送

Distribution of impurity states and charge transport in Zr_0.25Hf_0.75Ni₁₊ Sn_1- Sb _y nanocomposites

著者 (7件)： Liu Yuanfeng (Laboratory for Emerging Energy and Electronic Materials, Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  Makongo Julien P.A. (Laboratory for Emerging Energy and Electronic Materials, Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  Page Alexander (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  Sahoo Pranati (Laboratory for Emerging Energy and Electronic Materials, Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  Uher Ctirad (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA) ,  Stokes Kevin (The Advanced Materials Research Institute, Department of Physics, University of New Orleans, New Orleans, LA 70148, USA) ,  Poudeu Pierre F.P. (Laboratory for Emerging Energy and Electronic Materials, Department of Materials Science and Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI 48109, USA)
資料名： Journal of Solid State Chemistry  (Journal of Solid State Chemistry)
巻： 234  ページ： 72-86  発行年： 2016年02月 
JST資料番号： H0505A  ISSN： 0022-4596  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子的にコヒーレントなナノ構造を用いる半導体マトリクス中の電荷担体のエネルギーフィルタリングは,得た複合体の熱電性能指数の顕著な改善をもたらすことがある。本研究では,Zr_0.25Hf_0.75Ni₁₊Sn_1-Sb_y(0≦x≦0.15,y=0.005,0.01,0.025)の一般組成をもついくつかの半ホイスラー/完全ホイスラー(HH/FH)ナノ複合体を合成して,HH/FH界面での外因性キャリアの挙動を調査した。電子輸送データは,Zr_0.25Hf_0.75Ni₁₊Sn_1-Sb_y 試料中のHH/FH界面におけるキャリアのエネルギーフィルタリングは,ドーピングレベル(y値)ならびに試料中の不純物状態が占めるエネルギー準位に強く依存することを示した。例えば,HH/FH界面でのキャリヤフィルタリングは,Zr_0.25Hf_0.75Ni₁₊Sn_1-Sb_y(y=0.01および0.025)複合体では無視できることが分かった。これでは,Sbドーパントに由来するドナー状態が電子伝導を支配する。しかし,機械的合金化されたZr_0.25Hf_0.75Ni₁₊Sn_0.995Sb_0.005試料のHH/FH界面導入の際の実効キャリア密度の大幅な低下を観測した。これでは,意図しないFe不純物からのドナー状態が伝導電子の最大部分に寄与する。本研究は,半導体における電子輸送の最適化のためのナノ構造化によるドーピングおよびエネルギーフィルタリングの概念を相乗的に統合する能力を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ジルコニウム化合物 ,  ハフニウム化合物 ,  ニッケル化合物 ,  スズ化合物 ,  アンチモン化物 ,  性能指数 ,  ホイスラー合金 ,  輸送現象 ,  電気伝導 ,  伝導電子 ,  ドーピング ,  フィルタリング ,  エネルギー準位 ,  *半導体 ,  *不純物準位
準シソーラス用語： 熱電性能指数 ,  電子輸送 ,  電子伝導 ,  *電荷輸送 ,  *不純物状態

著者キーワード (5件)： Nanostructures ,  Doped semiconductor ,  Half-Heusler ,  Heusler ,  Energy filtering

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ複合体 ,  不純物状態 ,  分布 ,  電荷輸送