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J-GLOBAL ID：201602287059570022   整理番号：16A0977936

大面積単分子層遷移金属二カルコゲン化物と論理/メモリハイブリッド3D +ICを用いたモノリシック3D画像センサを可能にする【Powered by NICT】

Enabling monolithic 3D image sensor using large-area monolayer transition metal dichalcogenide and logic/memory hybrid 3D⁺IC

著者 (13件)： Yang Chih-Chao (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Chiu Kuan-Chang (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chou Cheng-Tse (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Liao Chang-Ning (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chuang Meng-Hsi (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Hsieh Tung-Ying (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Huang Wen-Hsien (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Shen Chang-Hong (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Shieh Jia-Min (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Yeh Wen-Kuan (National Nano Device Laboratories, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Yu-Hsiu (Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Wu Meng-Chyi (Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Lee Yi-Hsien (Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI Technology  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高密度相互接続で結合された3D論理/メモリハイブリッド3D +ICの上に大面積(>2cm×2cm)単分子層(<1nm)遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)フォトトランジスタアレイを作製によって実証したモノリシック3D画像センサ。単層MoS2フォトトランジスタの光電流は入射レーザパワー密度に線形応答を示し,高い応答性(>20A/W)を示した。低熱予算プロセス(T_sub<400°C)で作製した底部3D積層可能なポリSiナノワイヤFETは,急峻なサブ閾値スイング(<120mV/dec.)と高い駆動電流(>200uA/um)を示した。低駆動電圧6T SRAMはV_DD=0.5Vで150mVの静的雑音余裕(SNM)を示した。論理/メモリハイブリッド3次元 +IC上の大面積単層TMDフォトトランジスタアレイのこのような集積は,低電力および低コストモノリシック3次元イメージセンサを可能にする。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 応答特性 ,  相互接続 ,  光電流 ,  雑音余裕 ,  レーザ出力 ,  *三次元 ,  ポリシリコン ,  *単分子層 ,  SRAM ,  *イメージセンサ ,  フォトトランジスタ ,  *カルコゲン化物
準シソーラス用語： 駆動電流 ,  高密度 ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大面積 ,  単分子層 ,  遷移金属二カルコゲン化物 ,  論理 ,  3D ,  3D画像