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J-GLOBAL ID：201602289424589033   整理番号：16A0568113

垂直最適化法を用いた酸化膜電界補正を含む金属-酸化膜-半導体構造のFowler-Nordheimトンネリングパラメータの決定

Determination of Fowler-Nordheim tunneling parameters in Metal-Oxide-Semiconductor structure including oxide field correction using a vertical optimization method

著者 (4件)： TOUMI S. (Lab. optoelectronique et composants, Setif, DZA) ,  OUENNOUGHI Z. (Lab. optoelectronique et composants, Setif, DZA) ,  STRENGER K.C. (Fraunhofer Inst. of Integrated Systems and Device Technol. (IISB), Erlangen, DEU) ,  FREY L. (Fraunhofer Inst. of Integrated Systems and Device Technol. (IISB), Erlangen, DEU)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 122  ページ： 56-63  発行年： 2016年08月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *Fowler-Nordheimトンネリング ,  有効質量 ,  *超LSI ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  ゲート【半導体】 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  最適化 ,  酸化膜 ,  電界 ,  Fowler-Nordheimトンネリング ,  パラメータ