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J-GLOBAL ID：201602289555606669   整理番号：16A0638903

神経形態学的システムのためのReRAM利用アナログシナプスとIMTニューロン素子【Powered by NICT】

ReRAM-based analog synapse and IMT neuron device for neuromorphic system

著者 (6件)： Moon Kibong (POSTECH, Pohang, South Korea) ,  Cha Euijun (POSTECH, Pohang, South Korea) ,  Lee Daeseok (POSTECH, Pohang, South Korea) ,  Jang Junwoo (POSTECH, Pohang, South Korea) ,  Park Jaesung (POSTECH, Pohang, South Korea) ,  Hwang Hyunsang (POSTECH, Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： VLSI-TSA  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール酸化物ベースアナログsynpase装置と神経形態学的システム[1,2]のための絶縁体-金属転移(IMT)振動子ニューロン素子を報告した。Metal/Pr0Pr0.7Ca0.3MnO3(PCMO)界面での酸化還元反応を制御することにより,同一のパルス条件のもとでの切替えへの均一性,障害,保持とマルチレベルデータ貯蔵のようなシナプス特性を制御することができる。種々の金属電極の中で,Mo電極は最良のデータ保持特性を示すことを見出した。NbO2膜のIMT特性を用いて,神経応用のためのIMT発振器を開発した。Mo/PCMOシナプスアレイとNbO2振動子ニューロンを用いた高精度パターン認識の実現を実験的に確認した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化還元反応 ,  *シナプス ,  金属-絶縁体転移 ,  *ニューロン ,  振動子 ,  *モルフォロジー ,  データ蓄積 ,  モリブデン ,  界面
準シソーラス用語： データリテンション ,  金属電極 ,  マルチレベル ,  ナノスケール ,  *ReRAM ,  *神経 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 神経形態学 ,  ReRAM ,  アナログ ,  シナプス ,  IMT ,  ニューロン