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J-GLOBAL ID:201602289593190993   整理番号:16A0770345

TCADマクロモデルを用いたGGNMOS技術用のESD保護【Powered by NICT】

ESD protection for GGNMOS technology by using TCAD macro-model
著者 (7件):
資料名:
巻: 2016  号: ICASI  ページ: 1-4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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静電放電(ESD)は,集積回路(IC)における最も重要な信頼性問題の一つとなっている。静電気放電(ESD)故障による回路設計反復の数はVLSI技術とその収縮の複雑さと共に増加した。本論文では,TCADシミュレーションとESDマクロモデルはGGNMOS(ゲート接地NMOS)技術におけるESD保護の問題を解決するためにどのように利用できるかを示した。唯一のフィッティングパラメータを用いたESD回路シミュレーションのためのマクロモデルを提案した。モデル方程式のこのシステムは適度な数値複雑性を持つナノスケールデバイス内の熱生成と伝導の物理的現象の大部分を捉えることができた。は本研究で開発したモデル化概念は,将来のESDシミュレーション研究に適用される可能性があることが予想される。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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図形・画像処理一般  ,  移動通信  ,  パターン認識 
タイトルに関連する用語 (3件):
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