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J-GLOBAL ID：201702211321259665   整理番号：17A0020596

プログラマブルルーティングスイッチとプログラム可能な電力スイッチのオーバドライブによるCAAC IGZO FPGAのサブしきい値動作【Powered by NICT】

Subthreshold Operation of CAAC-IGZO FPGA by Overdriving of Programmable Routing Switch and Programmable Power Switch

著者 (12件)： Kozuma Munehiro (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Okamoto Yuki (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Nakagawa Takashi (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Aoki Takeshi (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Kurokawa Yoshiyuki (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Ikeda Takayuki (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Ieda Yoshinori (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Yamade Naoto (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Miyairi Hidekazu (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan) ,  Ikeda Makoto (Department of Electrical Engineering and Information Systems, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Fujita Masahiro (VLSI Design and Education Center, The University of Tokyo, Tokyo, Japan) ,  Yamazaki Shunpei (Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd., Atsugi, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems  (IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻： 25  号： 1  ページ： 125-138  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0516A  ISSN： 1063-8210  CODEN： ITCOB4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c軸配向結晶インジウム-gallium-亜鉛オキシド(CAAC IGZO)の結晶性酸化物半導体を用いたフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)を開発したが,これはエネルギー収穫に使用されるサブしきい値動作を行なうことができる。サブしきい値動作を実現するために,CAAC IGZO FPGAはCAAC IGZO FETを用いたブースティングパスゲートの拡張として設計した構造を持ち,電力ゲーティング(PG)のためのプログラム可能なルーティングスイッチとプログラマブル電源スイッチの過駆動を採用した。CAAC IGZO FETを用いて,優れた電荷保持を持つ理想的なフローティングゲートを与えることである。0.8μm CAAC IGZO/0 0.18μm CMOSハイブリッドプロセスを用いて作製したチップは,サブしきい値動作を達成する著者らの以前の研究で提案したノーマリーオフ計算のための必要な機能を維持した。具体的には,これらの特徴は,個々のプログラム可能な論理素子(PLEs)の細粒PG,コンテキスト間の高速配置スイッチング,およびPLEにおける揮発性レジスタと不揮発性陰影レジスタ間のロード/ストアにより実現した。組合せ回路構成の180mVの最小動作電圧でのチップ動作を実証した。順序回路構成で,チップは12.5kHzの190mVの最小動作電圧で動作し,最小電力-遅延積は330で3.40pJ/operation mVであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  *スイッチ ,  論理素子 ,  *FPGA ,  レジスタ ,  フローティングゲート ,  高速度 ,  非揮発性 ,  *電力 ,  順序回路 ,  CMOS
準シソーラス用語： パワーゲーティング ,  エネルギーハーベスティング ,  *サブ閾値 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (3件)： IGZO ,  FPGA ,  サブしきい値