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J-GLOBAL ID：201702211333059957   整理番号：17A0469872

AlNの4予測された新しい相の性質の第一原理研究【Powered by NICT】

A first-principles study of the properties of four predicted novel phases of AlN

著者 (4件)： Yang Ruike (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, PR China) ,  Zhu Chuanshuai (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, PR China) ,  Wei Qun (School of Physics and Optoelectronic Engineering, Xidian University, Xi’an, Shaanxi 710071, PR China) ,  Du Zheng (National Supercomputing Center in Shenzhen, Shenzhen 518055, PR China)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 104  ページ： 68-78  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 四予測新しいAlN相(Pmn2-AlN,Pbam AlN,Pbca AlNとCmcm AlN)の構造的,弾性的,熱力学的,電子的および光学的性質を密度汎関数理論(DFT)による第一原理を用いて計算した。これらの相はCALYPSO法を用いて明らかにしたが,まだ実験的に合成されていない。ここでは,それらの特性のいくつかを予測した。特性を,それぞれGGA-PBE及びPBE0によって解析した。より精度の結果は,PBE0によって得た。Cmcm AlNは良好な塑性を有し,そのYoung率はPmn2-AlN,Pbam AlNとPbca AlNよりも明瞭な異方性を示した。Debye温度,より高い温度下で,一定値に弱い温度依存性と方法を示した。四種類全てAlN相とwz AlNのDulong-Petit限界は約48jmol~ 1K~ 1であり,それらはほとんど同じ温度則。バンド構造は四AlNは広い直接バンドギャップ半導体であり,バンドギャップは5.95(Pmn2-AlN),5.99(Pbam AlN),5.88(Pbca AlN)と5.59eV(Cmcm AlN)であることを示した。結合挙動は共有結合性とイオン結合性の組合せである。誘電定数,屈折率,反射率,吸収,損失スペクトル,電気伝導率およびRamanスペクトルも詳細に計算した。全ての四つの相は,wz AlNのより低いプラズマ周波数を有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電率 ,  温度依存性 ,  熱力学 ,  電気伝導率 ,  バンドギャップ ,  Young率 ,  *窒化アルミニウム ,  屈折率 ,  Ramanスペクトル ,  共有結合 ,  *第一原理 ,  反射率 ,  密度汎関数法 ,  Debye温度
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化アルミニウム ,  新しい相 ,  物理的性質 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlN ,  予測 ,  相 ,  性質 ,  第一原理 ,  研究