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J-GLOBAL ID：201702211423631005   整理番号：17A0617686

CH₃NH₃PbI₃/CH₃NH₃SnI₃ヘテロ接合におけるフォトダイオード応答

Photodiode Response in a CH₃NH₃PbI₃/CH₃NH₃SnI₃ Heterojunction

著者 (7件)： SPINA Massimo (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  MIHALY Laszlo (Stony Brook Univ., New York, USA) ,  HOLCZER Karoly (UCLA, California, USA) ,  NAFRADI Balint (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  PISONI Andrea (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  FORRO Laszlo (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE) ,  HORVATH Endre (Ecole Polytechnique Federale de Lausanne, Lausanne, CHE)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 11  ページ： 10198-10202  発行年： 2017年03月22日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,メチルアンモニウム(MA)金属ハロゲン化物族,CH₃NH₃PbI₃(MAPbI₃)とCH₃NH₃SnI₃(MASnI₃)から構成したヘテロ接合のダイオード応答の光適合性について報告した。作製したMASnI₃薄片の表面にMAPbI₃単結晶を接触させることにより,ヘテロ接合を形成した。MAPbI₃結晶の頂部および接合部の近傍のMASnI₃結晶に接着金ワイヤまたはタングステンピンを押し付けて,電気接触を形成した。50mV/秒の走査速度および0.1秒の滞留時間で正電圧から負電圧から走査して,電流-電圧特性を測定した。著者等は,提案したヘテロ接合が,照明に非常に敏感であり,25mW/cm²以上の出力密度の赤色レーザ光の照射により,ダイオード極性の完全な反転を明らかにした。

シソーラス用語： *ハロゲン化物 ,  *ヘテロ接合 ,  *フォトダイオード ,  *応答 ,  単結晶 ,  接触 ,  電流電圧特性 ,  レーザ照射 ,  反転 ,  光検出器 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  高分子 ,  光起電力 ,  有機フォトダイオード ,  極性反転 ,  ペロブスカイト型構造 ,  有機金属高分子
準シソーラス用語： *光応答 ,  電気接触 ,  ペロブスカイト構造 ,  有機金属ポリマ

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

物質索引 (1件)： メチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (3件)： ヘテロ接合 ,  フォトダイオード ,  応答