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J-GLOBAL ID：201702211636771167   整理番号：17A0364688

n ZnO/In_0.17Al_0 83N/p GaNヘテロ接合におけるIn_0 17Al_0 83N中間層の機能【Powered by NICT】

The function of an In_0.17Al_0.83N interlayer in n-ZnO/In_0.17Al_0.83N/p-GaN heterojunctions

著者 (8件)： Wang Xiao (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Gan Xuewei (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Zhang Guozhen (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Su Xi (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Zheng Meijuan (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Ai Zhiwei (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Wu Hao (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China) ,  Liu Chang (Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-Structures of Ministry of Education, School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, People’s Republic of China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 393  ページ： 221-224  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO薄膜を薄いIn_0 17Al_0 0.83N中間層を持つp型GaN上に堆積した,ZnO/In_0.17Al_0 0.83GaNの二重ヘテロ構造ダイオードを形成した。ZnO膜の結晶品質が改善され,その方位は<707 4>(101 1)面に垂直であったことに沿って保たれていた。逆漏れ電流はIn_0 17Al_0 0.83N中間層を導入することにより減少した。n ZnO/In_0.17Al_0 0.83GaNヘテロ接合のエレクトロルミネセンススペクトルは,逆バイアス下で順方向バイアスとn-ZnO放出下でp-GaN放出が支配的であった。ZnOとIn_0 17Al_0 0.83Nの間の価電子帯オフセットと伝導帯オフセットは 0.72eVと1.95eVであった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  *ヘテロ接合 ,  オフセット ,  伝導バンド ,  *酸化亜鉛 ,  バイアス ,  *窒化ガリウム ,  価電子バンド ,  エレクトロルミネセンス
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  結晶品質 ,  ヘテロ構造 ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnO/InAlN/GaNヘテロ接合 ,  InAlN中間層 ,  発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  バンドアラインメント

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  中間層