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J-GLOBAL ID:201702211675012761   整理番号:17A0097027

INGAN/GAN LEDの光電特性に及ぼす層状の電子障壁の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influences of Composition-Graded Electron Blocking Layer on Electrical and Optical Performances of InGaN/GaN LEDs
著者 (6件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 711-715  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2386A  ISSN: 1004-3365  CODEN: WEIDFK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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数値シミュレーション法を用いて,INGAN/GAN発光ダイオードの電気的および光学的性質に及ぼす電子ビーム障壁(EBL)の影響を研究した。結果により,三角形の成分構造は,デバイスのターンオン電圧を効果的に減少させ,そして,光出力を増加させ,そして,高い注入電流レベルで,発光効率を減少させることができた。シミュレーション結果により、三角形成分のインボリュート構造は伝導帯底部の電子障壁を顕著に向上させ、電子のP型GAN層への漏れを効果的に制限し、同時に価電子バンドトップの正孔障壁を減少させ、P型GAN層の正孔方向への注入効率を増強できることが分かった。量子ドットの濃度分布を改善した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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発光素子 

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