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J-GLOBAL ID：201702211719981827   整理番号：17A0181930

ドープしたカーボンナノチューブ相互接続の物理的記述と解析【Powered by NICT】

Physical description and analysis of doped carbon nanotube interconnects

著者 (5件)： Liang Jie (CNRS-LIRMM/University of Montpellier, Montpellier, France) ,  Zhang Liuyang (CNRS-LIRMM/University of Montpellier, Montpellier, France) ,  Azemard-Crestani Nadine (CNRS-LIRMM/University of Montpellier, Montpellier, France) ,  Nouet Pascal (CNRS-LIRMM/University of Montpellier, Montpellier, France) ,  Todri-Sanial Aida (CNRS-LIRMM/University of Montpellier, Montpellier, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： PATMOS  ページ： 250-255  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの発見以来,2D炭素構造材料はその電気的,熱的および機械的性質により大きな関心を集めている。ここでは,カーボンナノチューブ(CNT)を調べ,2Dグラフェンシートを包む1D炭素構造を形成した。CNTはDirac円錐エネルギーバンド,半導体または金属いずれかをとなっている。連続攻撃的スケーリングにより,相互接続として銅を用いた技術は,電流密度,熱と電気伝導率性能に及ぼすその限界に到達しており,新しい相互接続材料を見つける進行中の探索である。その高い伝導率,高いエレクトロマイグレーション,および低温度効果を持つCNTは,オンチップ相互接続応用のための道を開くものである。しかし,純粋なCNTの制御不能なキラリティーはドープしたCNTを探索することを動機づけた。ドーピングは制御キラリティーの必要性を軽減し,CNTsの金属特性を向上させた。本研究では,ドーピングされたCNTsの基礎物理学を記述し,ドーピングは,CNTの電気的性質をどのように変化するかを記述する最初の始めた。もN型ドープしたCNTのためのCNTコンダクタンス変化に関する解析的モデルとシミュレーション結果を提供した。シミュレーションの結果,ドーピングは全体的なCNT抵抗を89%低減できることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気伝導率 ,  *ドーピング ,  銅 ,  *相互接続 ,  コンダクタンス ,  エレクトロマイグレーション ,  金属性 ,  電流密度 ,  グラフェン ,  温度依存性
準シソーラス用語： キラリティ ,  オンチップ ,  伝導率 ,  エネルギー帯 ,  Diracコーン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  カーボンナノチューブ ,  相互接続 ,  物理 ,  記述 ,  解析