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J-GLOBAL ID：201702211909328334   整理番号：17A0245341

八面体二硫化ハフニウム薄膜における酸化効果

Oxidation Effect in Octahedral Hafnium Disulfide Thin Film

著者 (11件)： CHAE Sang Hoon (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  JIN Youngjo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Tae Soo (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  CHUNG Dong Seob (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  NA Hyunyeong (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  NAM Honggi (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Hyun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PERELLO David J. (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  JEONG Hye Yun (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LY Thuc Hue (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Young Hee (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 10  号： 1  ページ： 1309-1316  発行年： 2016年01月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンの発見により,黒リンや窒化ホウ素などの古くから知られているvan der Waals結晶が再び注目されている。これらの物質の内,窒化ホウ素はほぼ理想的な絶縁体であるが,黒リンはp型半導体の性質を示す。一般に,薄膜物質は湿気や空気中での酸化により性質が変化する。本研究において,数原子層からなる二硫化ハフニウム(HfS₂)薄膜を使った薄膜トランジスタ(FET)を作成して,空気中と乾燥した無酸素下で安定性と電気的性質を調べた。乾燥した無酸素下での特性評価試験では,HfS₂ FETは10⁷を越える高いオンオフ電流比などの優れた電界効果応答性を持続的に示した。一方,湿った空気中での評価試験から,HfS₂の酸化は欠陥を核として全表面に均一に生じ,酸化は120時間以上持続することがわかった。窒化ホウ素被膜による表面不動態化が,FETの性能劣化防止に有効であることを示した。

シソーラス用語： 八面体 ,  *硫化物 ,  *薄膜 ,  *ハフニウム化合物 ,  *酸化 ,  窒化ホウ素 ,  黒リン ,  *薄膜トランジスタ ,  比率 ,  不動態化 ,  グローブボックス
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  表面不動態化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 八面体 ,  硫化 ,  ハフニウム ,  薄膜 ,  酸化