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J-GLOBAL ID：201702211935756877   整理番号：17A0009388

グラフェンを透明電極として用いた高性能PbS量子ドット垂直電界効果型フォトトランジスタ

High-performance PbS quantum dot vertical field-effect phototransistor using graphene as a transparent electrode

著者 (10件)： Che Yongli (Institute of Laser and Opto-Electronics, College of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Zhang Yating (Institute of Laser and Opto-Electronics, College of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Cao Xiaolong (Institute of Laser and Opto-Electronics, College of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Song Xiaoxian (Institute of Laser and Opto-Electronics, College of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Zhang Haiting (Institute of Laser and Opto-Electronics, College of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Cao Mingxuan (Institute of Laser and Opto-Electronics, College of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Dai Haitao (Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparing Technology, School of Science, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Yang Junbo (Center of Material Science, National University of Defense Technology, Changsha 410073, China) ,  Zhang Guizhong (Institute of Laser and Opto-Electronics, College of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China) ,  Yao Jianquan (Institute of Laser and Opto-Electronics, College of Precision Instruments and Opto-Electronics Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 109  号： 26  ページ： 263101-263101-5  発行年： 2016年12月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *グラフェン ,  透明電極 ,  *硫化鉛 ,  *量子ドット ,  *FET【トランジスタ】 ,  *フォトトランジスタ ,  特性 ,  光吸収スペクトル
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  デバイス特性

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (8件)： グラフェン ,  透明電極 ,  高性能 ,  PbS ,  量子ドット ,  垂直 ,  電界効果 ,  フォトトランジスタ