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J-GLOBAL ID：201702211944580718   整理番号：17A0047718

自己整合NiSi₂シード誘起横方向結晶化による先進4マスクプロセスのボトムゲートPoly-Si TFT

Advanced Four-Mask Process Bottom-Gate Poly-Si TFT via Self-Aligned NiSi₂ Seed-Induced Lateral Crystallization

著者 (7件)： Lee Sol Kyu (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Seok Ki Hwan (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Kim Hyung Yoon (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Kiaee Zohreh (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Chae Hee Jae (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Lee Yong Hee (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea) ,  Joo Seung Ki (Department of Materials Science and Engineering, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 10  ページ： 1292-1294  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らは,自己整合(SA)NiSi₂シード誘起ラテラル結晶化(SILC)による4マスクプロセスで高性能ボトムゲートポリSi(BGPS)薄膜トランジスタ(TFT)を製造する方法について報告した。以前,SILCによって結晶化されたBGPS TFTは,単純なプロセスで高い電気的性能を有することが報告された。しかし,このアプローチはラテラル結晶化用の追加のマスクを必要とし,プロセスをより複雑かつ高価にする。本レターでは,SA-SILC法を用いたことによって,少数のNiSi₂シードがエッチストッパーの側端部を通って真性Si表面に到達し,次にチャネルを結晶化させた。本SA-SILCは,チャネル内の少数のシードによる低金属汚染,SILCの短縮された長さによる短いアニール時間,および単純な4マスクプロセスを可能にした。A-SILC BGPS TFTは,0.16Vdecade^-1の急峻なサブスレッショルド傾斜,230cm2V^-1s^-1の高い電界効果移動度,およびキンクのない出力特性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ゲート【半導体】 ,  自己整合 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  *傾斜 ,  特性 ,  結晶化
準シソーラス用語： *TFT【トランジスタ】 ,  *サブスレッシュホールド傾斜 ,  *ボトムゲート ,  出力特性 ,  電界効果移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己整合 ,  誘起 ,  横方向 ,  結晶化 ,  マスク ,  プロセス ,  ボトムゲート ,  TFT