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J-GLOBAL ID:201702215408630960   整理番号:17A0881117

整列した五酸化バナジウムナノロッドの形成のための核形成中心としての多孔質シリコンピラーおよび二重層構造【Powered by NICT】

Porous silicon pillar and bilayer structure as a nucleation center for the formation of aligned vanadium pentoxide nanorods
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資料名:
巻: 43  号: 11  ページ: 8023-8030  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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多孔質シリコン単層(PSM),二層(PSB)とピラー(PSP)構造は,五酸化バナジウム(V_2O_5)結晶の核形成中心として評価した。Ar H_2(5%H_2)雰囲気下でのアニーリング処理により,異なる基板(ドロップキャスティング法)上のバナジウム前駆体の堆積は,酸化バナジウムの結晶化を誘導した。c Si/SiO_2基板に関しては,比較的大きなアスペクト比を持つV_2O_5ナノロッドは,PSP構造内に生成した。一方,PSMとPSBの細孔は比較的小さい結晶で満たされていることが分かった。,PSBは優先配向のナノ結晶を整列させるための可能な核形成基板を提供したが,PSP上に成長させたV_2O_5結晶はナノ多孔性ピラー微細構造周りの配向ランダムであることが分かった。ナノロッドとナノ結晶は,温度制御XRD測定によりV_2O_5として同定し,それらの結晶性の証拠を,透過型電子顕微鏡により観察した。電子顕微鏡像の注意深い解析は,結晶の端部を構成するファセットの同定を可能にし,それに対応する表面自由エネルギーはWulff定理を用いて評価した。左様な高表面積複合材料構造はリチウムイオン電池のカソード材料としての潜在的用途を持っている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 

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