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J-GLOBAL ID：201702215425402933   整理番号：17A0509801

電子的に修飾したアリールイソシアニド補助配位子を有するビスシクロメタル化イリジウム錯体

Bis-cyclometalated iridium complexes with electronically modified aryl isocyanide ancillary ligands

著者 (3件)： Na Hanah (Department of Chemistry, University of Houston, 3585 Cullen Blvd. Room 112, Houston, TX 77204-5003, USA. [e-mail]) ,  Maity Ayan ,  Teets Thomas S.
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 46  号： 15  ページ： 5008-5016  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,カチオン性ビスシクロメタル化ビス(アリールイソシアニド)イリジウム(III)錯体の電気化学的および光物理的特性に対する,系統的な補助配位子修飾の影響に関する研究について報告する。3つのアリールイソシアニド補助配位子(2,4-ジメトキシフェニルイソシアニド(CNAr^OMe),3,5-ビス(トリフルオロメチル)フェニルイソシアニド(CNAr^X(X=CF₃)),および4-ニトロフェニルイソシアニド(CNAr^Y(Y=NO₂)))を有する,3つの異なるシクロメタル化(C^∧N)配位子(2,4-ジフルオロフェニルピリジン(F₂ppy),2-ベンゾチエニルピリジン(btp),および2-フェニルベンゾチアゾール(bt))を用いて,9つの新しいIr(III)錯体を合成した。電子供与基または電子吸引基を有する補助配位子の系統的修飾は,吸収および発光帯の位置にほとんど影響せず,アリールイソシアニド補助配位子は,主として配位子中心の発光状態を最小限に乱すが,励起状態の動力学をなお制御できる。電子供与基を電子吸引基で置換することは,k_rおよび/またはk_nrに影響し,寿命と量子収率に変化をもたらす。また,アリールイソシアニド補助配位子に電子供与基または電子吸引基を組み込むことにより,シクロメタル化C^∧N配位子に依存した異なる程度の乱れで,電子構造を実質的に変化できることを明らかにする。特に,電子供与置換基を電子吸引基で置換した場合,正式にIr^IV/Ir^IIIの酸化対を200mV以上乱すことができる。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *イリジウム錯体 ,  芳香族化合物 ,  アセチレン化合物 ,  窒素複素環化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  有機イリジウム化合物 ,  メタル化 ,  特性 ,  光学的性質 ,  物理的性質 ,  *発光 ,  *結晶構造
準シソーラス用語： チアゾール誘導体 ,  チオフェン誘導体 ,  ピリジン誘導体 ,  光物性 ,  *電気化学的性質

分類 (3件)： 白金族元素の錯体  (CE01100E) ,  遷移金属元素(鉄族元素を除く)の錯体の結晶構造  (BK09030X) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R)

物質索引 (6件)： 2-(2,4-ジフルオロフェニル)ピリジン ,  2-(2-ピリジニル)ベンゾ[b]チオフェン ,  2-フェニルベンゾチアゾール ,  (2,4-ジメトキシフェニル)イソシアニド ,  [3,5-ビス(トリフルオロメチル)フェニル]イソシアニド ,  (4-ニトロフェニル)イソシアニド

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子 ,  修飾 ,  補助配位子 ,  ビス ,  シクロメタル化 ,  イリジウム錯体