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J-GLOBAL ID：201702215993177363   整理番号：17A0385778

パターン化LaAlO₃/SrTiO₃界面におけるゲート調整可能,通常オンから通常オフへのメモリスタンス転移

Gate-tunable, normally-on to normally-off memristance transition in patterned LaAlO₃/SrTiO₃ interfaces

著者 (11件)： Maier P. (Technische Physik, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Hartmann F. (Technische Physik, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Gabel J. (Experimentelle Physik 4, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Frank M. (Technische Physik, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Kuhn S. (Technische Physik, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Scheiderer P. (Experimentelle Physik 4, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Leikert B. (Experimentelle Physik 4, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Sing M. (Experimentelle Physik 4, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Worschech L. (Technische Physik, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Claessen R. (Experimentelle Physik 4, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany) ,  Hofling S. (Technische Physik, Physikalisches Institut and Rontgen Center for Complex Material Systems (RCCM), Universitaet Wuerzburg, Am Hubland, D-97074 Wuerzburg, Germany)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 9  ページ： 093506-093506-5  発行年： 2017年02月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *回路部品 ,  アルミニウム化合物 ,  ランタン化合物 ,  *チタン酸ストロンチウム ,  界面 ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  電圧 ,  電子系 ,  電流電圧特性 ,  *特性 ,  微細加工 ,  温度依存性
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  SrTiO3 ,  ヘテロ構造 ,  ゲート電圧 ,  二次元電子系 ,  *スイッチング特性

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： パターン化 ,  LaAlO3 ,  界面 ,  ゲート ,  調整可能