パターン化LaAlO<sub>3</sub>/SrTiO<sub>3</sub>界面におけるゲート調整可能,通常オンから通常オフへのメモリスタンス転移

Maier P.; Hartmann F.; Gabel J.; Frank M.; Kuhn S.; Scheiderer P.; Leikert B.; Sing M.; Worschech L.; Claessen R.; Hofling S.

文献

J-GLOBAL ID：201702215993177363 整理番号：17A0385778

パターン化LaAlO₃/SrTiO₃界面におけるゲート調整可能,通常オンから通常オフへのメモリスタンス転移

Gate-tunable, normally-on to normally-off memristance transition in patterned LaAlO₃/SrTiO₃ interfaces

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 110 号： 9 ページ： 093506-093506-5 発行年： 2017年02月27日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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パターン化LaAlO3/SrTiO3界面におけるゲート調整可能,通常オンから通常オフへのメモリスタンス転移

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