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J-GLOBAL ID：201702215994936719   整理番号：17A0704901

SnS_2/PbI_2van der Waalsヘテロ構造の電子的性質に及ぼす外部電場の影響【Powered by NICT】

Effect of an external electric field on the electronic properties of SnS₂/PbI₂ van der Waals heterostructures

著者 (9件)： Ma Yaqiang (College of Physics and Materials Science, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zhao Xu ,  Niu Mengmeng ,  Dai Xianqi ,  Li Wei ,  Li Yi ,  Zhao Mingyu ,  Wang Tianxing ,  Tang Yanan
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 41  ページ： 25582-25588  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オプトエレクトロニクスデバイスの今後の展開について電子的性質におけるアドバンスト制御技術を必要とする,例えば外部電場(E_field)であろう。ここでは,単分子層SnS_2とPbI_2によって構築されたvan der Waals(vdW)異種二層に基づくヘテロ構造はE_fieldがうまく制御された電子的性質を有しているとの考え方を実証した。SnS_2は最低エネルギー電子はPbI_2で分離されると同様に最低エネルギーホールを支配SnS_2/PbI_2vdWヘテロ構造から達成されるII型スタガードギャップバンドアラインメント。E_fieldと電荷再分布は主にSnS_2層とPbI_2の表面上と単分子層上での偏極電子の数は,外部E_fieldをもつ線形評価を示した。異なるE_field下でバンド構造は半導体から金属への転移だけでなく第1種ストラディングバンド整列とII型スタガードギャップの間の転化率が,最低エネルギー電子と正孔の異なる空間分布をもたらすを経験する。E_fieldは 0.06VÅ~ 1と 0.34VÅ~ 1間にあるとき,材料はオプトエレクトロニクスおよび太陽電池に支持する種々の直接バンドギャップを示した。,よく制御された方法でこのvdW異種二層は光学とエレクトロニクスにおける大きな可能性への期待を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンド構造 ,  正孔 ,  半導体 ,  *単分子層 ,  空間分布 ,  電子技術 ,  アラインメント ,  オプトエレクトロニクス ,  太陽電池
準シソーラス用語： 直接バンドギャップ ,  電荷再分布 ,  二層 ,  光電子デバイス ,  *外部電場 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  二次電池  (YB04030K) ,  放電一般  (BJ03010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： ヘテロ構造 ,  電子 ,  性質 ,  外部電場