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J-GLOBAL ID：201702216030465381   整理番号：17A0888855

4Gb SamsungとSpansionフラッシュNANDのSEE試験【Powered by NICT】

SEE Testing of the 4 Gb Samsung and Spansion Flash NAND

著者 (5件)： Hansen D. L. ,  Hillman R. ,  Meraz F. ,  Montoya J. ,  Williamson G.
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： NSREC  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シングルイベント効果(SEE)試験は,SamsungとSpansion4Gb NANDフラッシュデバイスについて行った。試験はLET=41MeV cm2/mgまで行った。部品は様々なSEEのを特性化した。試験と解析は,MBUがより高いLET値でより優勢になることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： SEE【事象】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： フラッシュ ,  NAND ,  SEE ,  試験