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J-GLOBAL ID:201702216063257704   整理番号:17A0143934

G級変調RF電力増幅器の離散ゲートバイアス変調【Powered by NICT】

Discrete gate bias modulation of a class-G modulated RF power amplifier
著者 (3件):
資料名:
巻: 2016  号: EuMC  ページ: 827-830  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本稿では離散レベルゲートバイアス変調を用いたG級の供給変調の組合せを調べた。G級供給変調を用いた以前の研究は,供給電圧スイッチング変調ベースバンド信号の利得と位相の急激な不連続性を引き起こすことを明らかにした。利得または位相不連続性のいずれかがG級変調と同期して動的ゲート変調を適用することにより補償できることが分かった。,利得不連続性を低減エンベロープパワー検出器による供給変調器のための制御信号を生成できる。これはディジタルプリディストーション線形化システムにおける標準単一入力単一出力(SISO)PAのための簡単なプラグイン溶液として高効率G級システムを実現することを可能にする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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光導波路,光ファイバ,繊維光学  ,  非線形光学  ,  光学情報処理 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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