半導体ブリッジ上での各種Al/MoO<sub>3</sub>反応性多層膜の集積によるマイクロチップ起動装置の点火性能の調整

XU Jianbing; TAI Yu; RU Chengbo; DAI Ji; YE Yinghua; SHEN Ruiqi; ZHU Peng

文献

J-GLOBAL ID：201702216157061041 整理番号：17A0598802

半導体ブリッジ上での各種Al/MoO₃反応性多層膜の集積によるマイクロチップ起動装置の点火性能の調整

Tuning the Ignition Performance of a Microchip Initiator by Integrating Various Al/MoO₃ Reactive Multilayer Films on a Semiconductor Bridge

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資料名：
巻： 9 号： 6 ページ： 5580-5589 発行年： 2017年02月15日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

マイクロチップ起動装置は,微小空間での点火によりプラズマを生成できる。マイクロチップ起動装置に利用するために,反応性多層膜の形成と性能について検討した。反応性多層膜として,Al/MoO₃の積層膜を利用した。マグネトロンスパッタリング法を利用して多層膜を形成した。次に,マイクロエレクトロメカニカルシステム技術を用いて半導体電子構造に組み込んだ。半導体ブリッジ上に反応性多層膜を集積した。これにより,半導体ブリッジ-チップ起動装置を作製した。この性能を検証した。起動装置の点火性能において,火炎持続時間や最大火炎面積などを系統的に検討した。マイクロチップ起動装置は,Alの変調周期を変化させることで,60~600μsの持続時間,2.85~17.61mmの最大火炎領域などを達成できた。一次元拡散反応モデルにより性能を検証した。マイクロチップ起動装置は,高レベルの集積度を有し,点火性能を調整できることが判明した。

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燃焼装置一般 , 酸化物薄膜

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半導体ブリッジ上での各種Al/MoO3反応性多層膜の集積によるマイクロチップ起動装置の点火性能の調整

半導体ブリッジ上での各種Al/MoO₃反応性多層膜の集積によるマイクロチップ起動装置の点火性能の調整