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J-GLOBAL ID：201702218204268978   整理番号：17A0473531

原子層蒸着したIn_2O_3の実現に向けて:シリコンヘテロ接合太陽電池におけるH【Powered by NICT】

Towards the implementation of atomic layer deposited In₂O₃:H in silicon heterojunction solar cells

著者 (12件)： Kuang Yinghuan (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Macco Bart (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Karasulu Bora (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Ande Chaitanya K. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Bronsveld Paula C.P. (Energy research Center of the Netherlands (ECN), Westerduinweg 3, P.O. Box 1, 1755 ZG Petten, The Netherlands) ,  Verheijen Marcel A. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Wu Yizhi (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Kessels Wilhelmus M.M. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Kessels Wilhelmus M.M. (Solliance, High Tech Campus 21, 5656 AE Eindhoven, The Netherlands) ,  Schropp Ruud E.I. (Department of Applied Physics, Eindhoven University of Technology, P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands) ,  Schropp Ruud E.I. (Energy research Center of the Netherlands (ECN), Westerduinweg 3, P.O. Box 1, 1755 ZG Petten, The Netherlands) ,  Schropp Ruud E.I. (Solliance, High Tech Campus 21, 5656 AE Eindhoven, The Netherlands)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 163  ページ： 43-50  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積(A LD)を用いて堆積した,優れた光電子特性を有する水素ドープ酸化インジウム(In_2O_3:H)をシリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池の窓電極材料として適用した。a-Si:Hの水素終端表面と有機金属前駆体シクロペンタジエニルインジウム(InCp)の低反応性のために,SHJ太陽電池へのA LD In_2O_3:Hを統合するため特に挑戦的である課題は本研究で開発した簡単で効果的なプラズマ表面前処理によって克服した。遠隔誘導結合O_2またはArプラズマをa-Si:Hの表面を修飾し,それにより表面上にInCpの吸着を促進した。c-Si/a-Si:H界面の不動態化に及ぼす短いプラズマ曝露の影響も研究した。界面の観察された分解はイオン衝撃によるのではなく,むしろプラズマからの紫外発光に起因することが分かった。幸いなことに,これらの光誘起欠陥は準安定であることが分かった,界面不動態化は,短いポストアニーリングにより完全に回復できる。温和なArプラズマ前処理を用いて,A LD In_2O_3:HはSHJ太陽電池に適用することに成功した。,外部量子効率から決定した,短絡電流密度40.1mA~2を通常のSnドープ酸化インジウム(In_2O_3:Sn,ITO)窓電極を持つことを参照セルのIn_2O_3:H窓電極をもつ組織化SHJ太陽電池,38.5mA~2と比較した。増強された光電流は400~1200nmの全波長範囲でIn_2O_3:Hの減少した寄生吸収に起因する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化インジウム ,  発光 ,  前処理 ,  *太陽電池 ,  不動態化 ,  光電流 ,  電極材料 ,  アルゴン ,  ドーピング ,  プラズマ ,  *ヘテロ接合 ,  界面
準シソーラス用語： 短絡電流密度 ,  a-Si:H ,  *ヘテロ接合太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 透明導電性酸化物 ,  原子層堆積 ,  In_2O_3:H ,  インジウムすず酸化物 ,  シリコンヘテロ接合太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子層蒸着 ,  シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池