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J-GLOBAL ID：201702219039387590   整理番号：17A0590987

Ga₂O₃のエッジ終端なしの高い逆絶縁破壊電圧のSchottky整流器

High reverse breakdown voltage Schottky rectifiers without edge termination on Ga₂O₃

著者 (7件)： Yang Jiancheng (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Ahn Shihyun (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Ren F. (Department of Chemical Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Pearton S. J. (Department of Materials Science and Engineering, University of Florida, Gainesville, Florida 32611, USA) ,  Jang Soohwan (Department of Chemical Engineering, Dankook University, Yongin 16890, South Korea) ,  Kim Jihyun (Department of Chemical and Biological Engineering, Korea University, Seoul 136-713, South Korea) ,  Kuramata A. (Tamura Corporation and Novel Crystal Technology, Inc., Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 19  ページ： 192101-192101-4  発行年： 2017年05月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 酸化ガリウム ,  電圧 ,  *整流器 ,  *Schottky障壁 ,  *化合物半導体 ,  Schottky障壁高さ ,  絶縁破壊電圧 ,  ワイドギャップ半導体
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ半導体

分類 (1件)： 整流器  (NB08040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ga2O3 ,  エッジ ,  終端 ,  絶縁破壊電圧 ,  整流器