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J-GLOBAL ID：201702219145980694   整理番号：17A0748310

KrFレーザ処理による環状マスクにより誘発されたPSとポリエチレンナフタレート上のリップルパターンの表面分析【Powered by NICT】

Surface analysis of ripple pattern on PS and PEN induced with ring-shaped mask due to KrF laser treatment

著者 (5件)： Nedela O. (Department of Solid State Engineering, University of Chemistry and Technology, Prague, 166 28, Czech Republic) ,  Slepicka P. (Department of Solid State Engineering, University of Chemistry and Technology, Prague, 166 28, Czech Republic) ,  Sajdl P. (Department of Power Engineering, University of Chemistry and Technology, Prague, 166 28, Czech Republic) ,  Vesely M. (Department of Organic Technology, University of Chemistry and Technology, Prague, 166 28, Czech Republic) ,  Svorcik V. (Department of Solid State Engineering, University of Chemistry and Technology, Prague, 166 28, Czech Republic)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 49  号： 1  ページ： 25-33  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 円形スリットと接触リソグラフィーマスクを通したKrFパルスエキシマUVレーザにより曝露された二つのポリマ基板[ポリエチレンナフタレート(PEN)とポリスチレン(PS)]の表面上のリップルナノパターン構築のためのアプローチを提案した。金の薄層は,レーザ処理後の試料上に堆積した。レーザ誘起周期的表面構造の寸法だけでなく,基板のシールドと露出した領域の両方の表面の形態の変化を決定した(原子間力顕微鏡,レーザ共焦点顕微鏡と走査電子顕微鏡により),同一条件下で直接(接触マスクなし)処理した試料での観測と測定と比較した。処理および未処理領域間の界面の形態も綿密に研究した。処理した試料の表面化学をX線光電子分光法によって詳細に研究した。改質PENとPSの表面化学の詳細な研究は,レーザ処理したPSの酸素濃度とPENの場合にカルボキシル基の増加の有意な増加を明らかにした。本研究の潜在的応用は,バイオテクノロジー,マイクロ技術と幾つかの他の分野に見ることができる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  紫外レーザ ,  界面化学 ,  *レーザ ,  X線光電子スペクトル ,  バイオテクノロジー ,  走査電子顕微鏡 ,  X線光電子分光法 ,  表面構造 ,  金 ,  *表面分析 ,  *ポリエチレンナフタレート
準シソーラス用語： 酸素濃度 ,  *KrFレーザ ,  マイクロテクノロジー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 高分子表面 ,  エキシマレーザ ,  接触マスク ,  原子間力顕微鏡観察 ,  走査型電子顕微鏡観察 ,  周期的ナノ構造

分類 (2件)： 高分子固体のその他の性質  (CG02025L) ,  金属の表面構造  (BK15020P)

タイトルに関連する用語 (7件)： KrFレーザ ,  環状 ,  マスク ,  誘発 ,  PS ,  ポリエチレンナフタレート ,  表面分析