文献

J-GLOBAL ID：201702219480716256   整理番号：17A0450145

冷間焼結したV_2O_5セラミックスとCo焼結V_2O_5PEDOTの半導体的性質:PSS複合材料【Powered by NICT】

Semiconducting properties of cold sintered V₂O₅ ceramics and Co-sintered V₂O₅-PEDOT:PSS composites

著者 (6件)： Guo Jing (Center for Dielectrics and Piezoelectrics, Materials Research Institute and Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Guo Hanzheng (Center for Dielectrics and Piezoelectrics, Materials Research Institute and Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Heidary Damoon Sohrabi Baba (Center for Dielectrics and Piezoelectrics, Materials Research Institute and Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Funahashi Shuichi (Center for Dielectrics and Piezoelectrics, Materials Research Institute and Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA) ,  Funahashi Shuichi (Murata Mfg. Co., Ltd, 1-10-1 Higashikotari, Nagaokakyo-shi, Kyoto 617-0832, Japan) ,  Randall Clive A. (Center for Dielectrics and Piezoelectrics, Materials Research Institute and Department of Materials Science and Engineering, Pennsylvania State University, University Park, PA 16802, USA)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 37  号： 4  ページ： 1529-1534  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近著者らは,異常に低い温度でセラミックとセラミック-高分子複合材料を緻密化するために,すなわち冷間焼結プロセス(CSP),焼結法を確立した。本研究では,120°CでV_2O_5セラミックと(1 x)V_2O_5 xPEDOT:PSS複合材料冷間焼結の微細構造と半導体特性を調べた。V_2O_5の電気伝導率(25°C),活性化エネルギー(25°C),Seebeck係数(50°C)はそれぞれ4.8×10~ 4cm,0.25eV, 990μV/Kであった。伝導機構はホッピングモデルを用いて研究した。可逆的金属-絶縁体転移(MIT)はN_2雰囲気に曝されたV_2O_5試料で観察されたが,真空雰囲気中で,著明なMITは検出できなかった。1 2Vo1%PEDOT:PSSの添加により,電気伝導率(50°C)は10~ 4から10~ 3~10~ 2cmまで劇的に増加させると,Seebeck係数(50°C)は 990-(600~250)μV/Kからシフトした。すべての結果は,CSPはすべての重要な電気的性質を損なうことなく半導体エレクトロセラミック開発のための新しい処理経路を提供する可能性があることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  *セラミック ,  電気的性質 ,  緻密化 ,  *半導体 ,  エレクトロセラミック ,  微細構造 ,  *複合材料 ,  電気伝導率 ,  *焼結 ,  金属-絶縁体転移
準シソーラス用語： 伝導機構 ,  Seebeck係数 ,  PMC【材料】 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 冷間焼結プロセス ,  酸化物半導体 ,  V_2O_5 ,  V_2O_5PEDOT:PSS複合材料 ,  金属-絶縁体転移

分類 (4件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 焼結 ,  セラミックス ,  CO ,  性質 ,  PSS ,  複合材料