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J-GLOBAL ID：201702219762681027   整理番号：17A0661526

ゾル-ゲル前駆体を用いたP型MoS_2原子層のパターン化成長【Powered by NICT】

Patterned Growth of P-Type MoS₂ Atomic Layers Using Sol-Gel as Precursor

著者 (16件)： Zheng Wei (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China) ,  Zheng Wei (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China) ,  Lin Junhao (Department of Physics and Astronomy, Vanderbilt University, Nashville, TN, 37235, USA) ,  Lin Junhao (Materials Science & Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Feng Wei (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China) ,  Feng Wei (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China) ,  Xiao Kai (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, One Bethel Valley Road, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Qiu Yunfeng (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China) ,  Chen XiaoShuang (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China) ,  Liu Guangbo (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China) ,  Cao Wenwu (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Laboratory, One Bethel Valley Road, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Pantelides Sokrates T. (Department of Physics and Astronomy, Vanderbilt University, Nashville, TN, 37235, USA) ,  Pantelides Sokrates T. (Materials Science & Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  Zhou Wu (Materials Science & Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA. [e-mail]) ,  Hu PingAn (Key Laboratory of Micro-systems and Micro-structures Manufacturing of Ministry of Education, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China. [e-mail]) ,  Hu PingAn (School of Materials Science and Engineering, Harbin Institute of Technology, Harbin, 150080, P. R. China. [e-mail])
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 35  ページ： 6371-6379  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2D層状MoS_2は柔軟な電子,光電子,およびスピントロニクスデバイスへの応用のための強い注目を集めている。通常の化学蒸着法によって成長させたMoS_2原子層の大部分は豊富な硫黄空格子点に起因するn型であった。が,p型挙動とMoS_2原子層の容易な生産は困難なままである。,新しい一段階成長はMo含有ゾル-ゲルを用いて大規模にp型MoS_2層を達成するために開発した,1%のタングステン(W)を含む。原子分解能電子顕微鏡による特性評価は,小さなタングステン酸化物クラスタは反応温度でW前駆体の不完全な還元による成長したままのMoS_2膜に一般的に存在することを明らかにした。これら遍在する小さいタングステン酸化物クラスタはp型挙動に寄与し,密度汎関数理論計算で確認されたように,MoS_2原子層の結晶性を保持している。ゾル-ゲル前駆体を含むMoは,ソフトリソグラフィー技術,異なる形状を持つ規則的なアレイにp型MoS_2原子層のパターン化成長を可能にすると互換性のある,高度に統合されたデバイス応用のための大きな将来性を有した。さらに,原子的に薄いp-n接合は,作製したままのMoS_2,強い整流挙動を示すことにより作製した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *パターン形成 ,  反応温度 ,  *モリブデン ,  *前駆体 ,  キャラクタリゼーション ,  光電子 ,  PN接合 ,  酸化タングステン ,  化学蒸着 ,  結晶度 ,  電子顕微鏡 ,  整流 ,  クラスタ ,  硫黄
準シソーラス用語： *原子層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ドーピング ,  パターン化成長 ,  p-n接合 ,  p型MoS2

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル ,  前駆体 ,  原子層 ,  パターン化 ,  成長