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J-GLOBAL ID:201702219807918892   整理番号:17A0473424

4 クロロフェノールと水素発生の増強された可視光分解に対するg C_3N_4/ZnO光触媒中の酸素欠陥媒介Zスキーム電荷分離【Powered by NICT】

Oxygen defects-mediated Z-scheme charge separation in g-C3N4/ZnO photocatalysts for enhanced visible-light degradation of 4-chlorophenol and hydrogen evolution
著者 (9件):
資料名:
巻: 206  ページ: 406-416  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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g C_3N_4ナノシートは酸素欠陥ZnOナノロッド(OD ZnO)と結合したコア-シェル構造を持つヘテロ接合光触媒を形成した。電気化学インピーダンス分光法,光電流応答と定常/過渡光ルミネセンス分光法を含む複数の光学的および電気化学的分析はC_3N_4/OD ZnOヘテロ接合は増加した可視光吸収,改良された電荷発生/分離効率と長寿命を示し,可視光照射(λ>420nm)下で4 クロロフェノールの分解に対して強化された光触媒活性をもたらすことを明らかにした。酸素欠陥媒介Zスキーム機構は,ヘテロ接合における電荷分離,ヘテロ接合界面でのg C_3N_4の価電子帯の正孔と直接OD ZnOの酸素欠陥レベルにトラップされた光誘起電子の再結合を含むために提案した。O_2~ と・OHを含む表面生成した反応性種の検出は,明確にZ-スキーム機構を支持した。,g C_3N_4/OD ZnO光触媒をも強化された可視光ZスキームH_2発生活性を示し,純粋なg C_3N_4のそれよりも約5倍の最適H_2発生速度であった。本研究は新しい可視光駆動Zスキーム光触媒構築のための代替戦略を提供するだけでなく,Z-スキーム電荷分離を仲介する半導体の酸素欠陥の役割に関するいくつかの新しい洞察を得た。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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光化学反応 

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