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J-GLOBAL ID：201702220025121890   整理番号：17A0398839

Be,Mg,CaおよびSrをドープしたグラフェン上の水素吸着:IIA主族におけるドーパントの役割【Powered by NICT】

Hydrogen adsorption on Be, Mg, Ca and Sr doped graphenes: The role of the dopant in the IIA main group

著者 (3件)： Luo Huijuan (State Key Laboratory of Solidification Processing, Carbon/Carbon Composites Research Centre, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, People’s Republic of China) ,  Li Hejun (State Key Laboratory of Solidification Processing, Carbon/Carbon Composites Research Centre, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, People’s Republic of China) ,  Fu Qiangang (State Key Laboratory of Solidification Processing, Carbon/Carbon Composites Research Centre, Northwestern Polytechnical University, Xi’an 710072, People’s Republic of China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 669  ページ： 238-244  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IIA元素に及ぼす水素(H_2)吸着をドープした重空孔グラフェン(BeG,MgG,CaGとSrG)は分散補正密度汎関数理論計算を用いて研究した。二方向からの水素ドッキングの異なる数の調査を通して,1H_2/BeG,1H_2/MgG,8H_2/CaGと8H_2/SrGはBe,Mg,Ca及びSrドープグラフェンの最も安定な吸着配置であることが分かった。IIAドーパントの原子半径,電気陰性度とイオン化ポテンシャルは特異的H_2濃度下で支配的な吸着機構に寄与している。研究は水素貯蔵のための高性能グラフェン関連担体の探索を容易にするであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *吸着 ,  *ドーピング ,  原子半径 ,  *グラフェン ,  水素吸蔵 ,  *水素 ,  電気陰性度 ,  キャリア ,  ドッキング ,  *ストロンチウム ,  イオン化ポテンシャル ,  *ドーパント
準シソーラス用語： 吸着機構 ,  密度汎関数計算 ,  *水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  物理化学一般その他  (CB01030T) ,  分子の性質一般  (BH05031D)

タイトルに関連する用語 (9件)： Be ,  Mg ,  Ca ,  Sr ,  ドープ ,  グラフェン ,  水素吸着 ,  ドーパント ,  役割