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J-GLOBAL ID：201702220100969976   整理番号：17A0661444

MoTe_2/MoS_2に基づく立体配置に依存した電気的に調整可能なvan der Waalsヘテロ構造【Powered by NICT】

Configuration-Dependent Electrically Tunable Van der Waals Heterostructures Based on MoTe₂/MoS₂

著者 (9件)： Wang Feng (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China) ,  Yin Lei (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China) ,  Wang Zhen Xing (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China) ,  Xu Kai (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China) ,  Wang Feng Mei (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China) ,  Shifa Tofik Ahmed (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China) ,  Huang Yun (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China) ,  Jiang Chao (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China) ,  He Jun (CAS Key Laboratory of Nanosystem and Hierarchical Fabrication, National Center for Nanoscience and Technology, Beijing, 100190, P.R. China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 30  ページ： 5499-5506  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： お互いに2D層状物質(2dlm)平野を積層人工により得られたvan der Waalsヘテロ構造(vdWHs)は新しい電子デバイスおよび光電特性を示し,大きな注目を引いている新しい構造である。これまで,結果は対称配置:vdWH部品が支配的デバイス,またはvdWHsと余分な個々の2dlm層と組み合わせた十字状配置をもつデバイスに基づいている。類似のバンドアラインメントと2dlmsを使用したにもかかわらず,全く異なるゲート調整可能な現象は,これら二つの配置で観測された,を用いて,異なる素子構造に起因すると考えられる。より深い理解のために,vdWHsの立体配置依存特性の合理的な検討が必要である。,例としてMoTe_2/MoS_2を用いて,vdWHデバイスは二つの非対称配置で設計された人工的である。それぞれの結果を比較して,すなわち,光起電力効果における整流挙動と開放電圧,vdWHのみから生じる特性はデバイス構造に依存しないことが分かった。しかし,すなわち,ドレイン電流,短絡電流,光応答性能,他の性質は使用した配置に強く依存した。これらの結果は,vdWHsの固有特性を研究し,より良い性能のための素子構造を最適化することに関するガイドラインを与えた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  非対称性 ,  対称性 ,  光起電力効果 ,  短絡電流 ,  整流 ,  *素子構造
準シソーラス用語： 光応答 ,  ドレイン電流 ,  開回路電圧 ,  バンドアライメント ,  光電気 ,  電子素子 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： MoS2 ,  MoTe2 ,  光検出 ,  光起電力効果 ,  van der Waalsヘテロ構造

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 立体配置 ,  VAN ,  ヘテロ構造