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J-GLOBAL ID：201702220206275284   整理番号：17A0404102

Cdを含まない薄膜太陽電池用の化学浴堆積SnS_2膜に関する研究【Powered by NICT】

Studies on chemical bath deposited SnS₂ films for Cd-free thin film solar cells

著者 (9件)： Gedi Sreedevi (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Gedi Sreedevi (Solar Energy Laboratory, Department of Physics, Sri Venkateswasra University, Tirupati 517 502, India) ,  Minnam Reddy Vasudeva Reddy (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Minnam Reddy Vasudeva Reddy (Solar Energy Laboratory, Department of Physics, Sri Venkateswasra University, Tirupati 517 502, India) ,  Pejjai Babu (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Pejjai Babu (Solar Energy Laboratory, Department of Physics, Sri Venkateswasra University, Tirupati 517 502, India) ,  Park Chinho (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Jeon Chan-Wook (School of Chemical Engineering, Yeungnam University, 280 Daehak-ro, Gyeongsan 38541, Republic of Korea) ,  Kotte Tulasi Ramakrishna Reddy (Solar Energy Laboratory, Department of Physics, Sri Venkateswasra University, Tirupati 517 502, India)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 4  ページ： 3713-3719  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二硫化すず(SnS_2)は簡単な二成分金属カルコゲン化物であり,Cdを含まない薄膜太陽電池用の有望な緩衝材として提案されている。本研究では,30~120分の範囲で種々の堆積時間で容易な化学浴堆積によるSnS_2膜の堆積を調べた。構造,光学及び電気特性に及ぼす堆積時間の影響を調べた。成長させたままのSnS_2膜は15.03°Cで高強度(001)ピークをもつ六方晶結晶構造を示した。膜は基板の表面全体に均一に分散したことをシャトル形状の結晶粒を示した。膜は2.95 2 0.80eVの範囲で光学エネルギーバンドギャップを示した。PLスペクトルは,波長範囲で強い発光ピーク,堆積時間の変化に伴う,410 460nmを示した。堆積時間90分で調製したSnS_2膜は低い抵抗率11.2Ωcmの良好な結晶性と形態を示した。Mo/SnS/SnS_2/i ZnO/Al:ZnO/Ni/Agのデバイス構造を持つ太陽電池を作製した。作製した太陽電池は,0.91%の効率,SnS_2膜の光起電力性能を検証を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  波長 ,  *カドミウム ,  発光 ,  六方晶系 ,  *太陽電池 ,  バンドギャップ ,  緩衝材 ,  電気抵抗率 ,  結晶構造 ,  光起電力
準シソーラス用語： 光ルミネセンススペクトル ,  硫化スズ ,  *化学浴析出 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： SnS_2薄膜 ,  二成分金属カルコゲン化物 ,  化学浴析出 ,  バッファ層 ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  Cdを含まない薄膜太陽電池

分類 (2件)： 電池一般  (YB04010O) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cd ,  薄膜太陽電池 ,  化学浴堆積 ,  研究