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J-GLOBAL ID：201702220357669565   整理番号：17A0557735

酸化シリコン基板上のナノテクスチャード(110)Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃/(001)ZnOヘテロ構造の成長と光学特性

Growth and optical properties of nano-textured(110) Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃/(001) ZnO hetero-structure on oxidized silicon substrate

著者 (5件)： SHARMA Govind N. (DRDO, Delhi, IND) ,  SHARMA Govind N. (Indian Inst. Technol., New Delhi, IND) ,  DUTTA Shankar (DRDO, Delhi, IND) ,  SINGH Sushil Kumar (DRDO, Delhi, IND) ,  CHATTERJEE Ratnamala (Indian Inst. Technol., New Delhi, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 6  ページ： 5058-5062  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,将来のMEMSデバイスのために,酸化シリコン(SiO₂)基板上に高周波スパッタリング技術によって堆積したナノテクスチャード(110)Pb(Zr_0.52Ti_0.48)O₃(PZT)/(001)ZnOヘテロ構造の成長と光学特性を提示する。X線回折研究から,アモルファス(SiO₂)表面上の(002)方位高度テクスチャードZnO緩衝層を見出した。PZT層は,(110)方位を持つ相純粋ペロブスカイト構造であることが分る。膜の原子間力顕微鏡(AFM)観察から,ZnO及びPZT膜の粒子サイズは,それぞれ,30-50nm及び80-100nmであることが示唆される。ZnO層は,E₂(高)及びE₁(LO)モードに対応する約440cm^-1及び620cm^-1の2つのRamanピークを示した。PZT-ZnOヘテロ構造は,PZT A₁(TO)振動モードをあらわす148cm^-1の鋭いRamanピークを示した。いくつかの小さなピークが,約450cm^-1(PZT E(2LO)及びA(2LO)),640cm^-1(PZT A₁(3TO))及び690cm^-1(PZT E(3LO))において観察された。ZnO及びPZT-ZnOヘテロ構造の光学バンドギャップは,それぞれ,紫外可視反射スペクトルから3.3eV及び3.23eVであることが分る。

シソーラス用語： 酸化物 ,  鉛化合物 ,  ジルコニウム化合物 ,  チタン化合物 ,  酸化亜鉛 ,  酸化ケイ素 ,  基板 ,  薄膜 ,  素子構造 ,  *ヘテロ接合 ,  *結晶成長 ,  *光学的性質 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  Raman分光法 ,  光反射 ,  光学ギャップ ,  RFスパッタリング ,  ペロブスカイト型結晶
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  光学特性

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸化 ,  シリコン基板 ,  Pb ,  O3 ,  ZnO ,  ヘテロ構造 ,  成長 ,  光学特性