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J-GLOBAL ID：201702220655997342   整理番号：17A0618668

アモルファスGaNの中性子照射構造の研究

Study of neutron irradiated structures of ammonothermal GaN

著者 (12件)： GAUBAS E (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  CEPONIS T (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  DEVEIKIS L (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  MESKAUSKAITE D (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  MIASOJEDOVAS S (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  MICKEVICIUS J (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  PAVLOV J (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  PUKAS K (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  VAITKUS J (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  VELICKA M (Vilnius Univ., Vilnius, LTU) ,  ZAJAC M (AMMONO, Warsaw, POL) ,  KUCHARSKI R (AMMONO, Warsaw, POL)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 13  ページ： 135102,1-15  発行年： 2017年04月05日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNは,化学,ガス,生物学,圧力検知,放射線イメージング用途,及び過酷な環境で動作する高エネルギー粒子検出器の製造において有望な材料である。GaNは,電気信号および光信号の両方を記録することによって,高エネルギー粒子の検出および追跡,または線量測定に用いることができる。本研究では,元のまま及び放射線の影響を受けたアンモニアサーマル(AT)GaNに固有の電気的および光学的特性の包括的な研究の結果を報告する。AT GaN:MgおよびGaN:Mn材料の中性子照射誘起欠陥の同定のために,ESR,ラマン,FTIR,UV-NIR,時間分解および定常状態のPL分光法が組み合わされて実施された。調査の結果,Mn原子に帰属されるA^-/0中心のイオン化/電荷中和変換は,中性子照射下での電気的および光学的特性およびそれらの修飾を決定する最も重要なプロセスであった。Mnが豊富なAT GaN:Mn材料では,UV-PL減衰瞬時寿命は,サブns時間スケールに,特に重い中性子照射材料では,これらのGaN:Mnサンプルでは数十nsのかなり短いキャリア寿命値になった。V_GaO_NまたはV_GaH_N構造の空孔関連錯体が主に,AT GaN材料の電気的および光学的特性の変化および中性子照射フルエンスの増加に伴う,それらの劣化の原因であることが明らかになった。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *非晶質半導体 ,  *中性子照射 ,  *放射線検出 ,  *格子欠陥 ,  劣化
準シソーラス用語： GaN

分類 (3件)： 非晶質半導体の構造  (BK04030O) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： アモルファス ,  GaN ,  中性子照射 ,  研究