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J-GLOBAL ID：201702220700277168   整理番号：17A0032025

金属-有機骨格の金属の直接その場変換 金属基板上のMOF膜の迅速成長戦略

Direct in Situ Conversion of Metals into Metal-Organic Frameworks: A Strategy for the Rapid Growth of MOF Films on Metal Substrates

著者 (5件)： JI Hoon (Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol. (DGIST), Daegu, KOR) ,  HWANG Sunhyun (Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol. (DGIST), Daegu, KOR) ,  KIM Keonmok (Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol. (DGIST), Daegu, KOR) ,  KIM CheolGi (Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol. (DGIST), Daegu, KOR) ,  JEONG Nak Cheon (Daegu Gyeongbuk Inst. of Sci. and Technol. (DGIST), Daegu, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 8  号： 47  ページ： 32414-32420  発行年： 2016年11月30日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化剤および脱プロトン化剤の共存下に,金属基板上に直接金属-有機骨格薄膜を成長させることにより,基板金属イオンにより交換された金属-有機骨格薄膜を一段で得る方法を提案した。酸化剤(過硫酸アンモニウム)は基板金属イオンの溶出,脱プロトン化剤(トリエチルアミン)は配位子の脱プロトン化に働く。銅基板上のHKUST-1および亜鉛基板上のZIF-8について実験例を示した。走査電子顕微鏡,X線回折,紫外可視吸収スペクトル,Ramanスペクトルによりキャラクタリゼーションを行った。HKUST-1膜をI₂蒸気に接触させてI₂充填HKUST-1膜を作製した。電流電圧特性およびインピーダンススペクトルを測定した。I₂充填により電気伝導率が顕著に増大することを確めた。ヨウ素センサへの応用を示唆した。

シソーラス用語： *配位高分子 ,  *交換反応 ,  酸化剤 ,  アンモニウム化合物 ,  ペルオキソ硫酸塩 ,  脱プロトン ,  亜鉛 ,  カルボン酸塩 ,  *銅錯体 ,  *亜鉛錯体 ,  電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  Ramanスペクトル ,  ヨウ素 ,  電流電圧特性 ,  電気伝導率 ,  *センサ ,  *薄膜成長 ,  脂肪族アミン ,  第三アミン
準シソーラス用語： HKUST-1 ,  ZIF-8 ,  過硫酸アンモニウム ,  基板材料 ,  金属-有機骨格 ,  金属基板 ,  *金属交換反応 ,  脱プロトン化 ,  銅基板 ,  配位重合体

分類 (3件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： トリエチルアミン

タイトルに関連する用語 (4件)： 金属-有機骨格 ,  金属基板 ,  MOF ,  成長戦略