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J-GLOBAL ID：201702220717679505   整理番号：17A0504451

V₂O₅ナノロッドに基づいた高感度拡張ゲート電界効果トランジスタ

High sensitivity extended gate effect transistor based on V₂O₅ nanorods

著者 (7件)： ABD-ALGHAFOUR N. M. (Iraqi Ministry of Education, Anbar, IRQ) ,  ABD-ALGHAFOUR N. M. (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS) ,  AHMED Naser M. (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS) ,  HASSAN Z. (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS) ,  ALMESSIERE Munirah Abdullah (Univ. Dammam, Dammam, SAU) ,  BOUOUDINA M. (Univ. Bahrain, Isa Town, BHR) ,  AL-HARDAN Naif H. (Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, MYS)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： 1364-1369  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： V₂O₅ナノロッド(NR)をセンサに使ったpHセンサとしての拡張ゲート電界効果トランジスタ(RGFET)を作り,センシング特性を調べた。スプレー熱分解でガラス基板にデポジットしたV₂O₅NRは直径140~160nmで長さが300~500nmである。V₂O₅NRセンサはpH2~12の範囲で54.9mA/pHの感度と飽和領域での線形性は0.9859で優れた線形性を示した。これはNRナノ構造の大きな表面対体積比によるものである。

シソーラス用語： *酸化バナジウム ,  ナノロッド ,  *FET【トランジスタ】 ,  *pHセンサ ,  熱分解 ,  電流電圧特性 ,  スプレー熱分解 ,  *センサ
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (5件)： ロッド ,  高感度 ,  拡張 ,  ゲート ,  電界効果トランジスタ