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J-GLOBAL ID：201702220747341410   整理番号：17A0236961

炭化ニッケルのインターカレーションによるNi(111)上で回転したグラフェンの電子特性の調整

Tuning the Electronic Properties of Rotated Graphene on Ni(111) by Nickel Carbide Intercalation

著者 (4件)： SONG Jiaming (Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  BERNIEN Matthias (Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  WU Chii-Bin (Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KUCH Wolfgang (Freie Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 120  号： 3  ページ： 1546-1555  発行年： 2016年01月28日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ni(III)面はグラフェン(Gr)と格子定数がほぼ一致する為にGrの化学蒸着による成長用の基板として注目されている。ここではNi基板上の(1×1)のエピタキシャルなGr領域に対して一部で形成される回転したGr領域及び,回転したGr層と基板との間に生じるNi₂Cが電子特性に及ぼす影響を調べた。回転Grの領域は基板との相互作用が弱いためにNi₂Cが介在し易いが,このN₂Cが介在した領域では走査型トンネル顕微鏡で超格子によるMoire波形の振幅がGrの回転角及びバイアス電圧依存して変化することを明らかにした。またこの領域では上層のGrに生じる欠陥によりNi₂Cの酸化が起きやすくなることも示した。

シソーラス用語： *ニッケル化合物 ,  *炭化物 ,  *インターカレーション ,  ニッケル ,  *グラフェン ,  回転 ,  *結晶格子 ,  層 ,  相互作用 ,  電子効果 ,  *超格子 ,  基板 ,  薄膜 ,  物理的性質
準シソーラス用語： エピタキシャル層 ,  格子回転 ,  金属基板 ,  電子物性

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  塩  (CD01050V) ,  電子物性一般  (BM01000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭化ニッケル ,  インターカレーション ,  Ni ,  グラフェン ,  電子