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J-GLOBAL ID：201702220940362282   整理番号：17A0027194

Si基板上の擬似垂直GaNベースp-i-nダイオードの破壊耐久性

Breakdown Ruggedness of Quasi-Vertical GaN-Based p-i-n Diodes on Si Substrates

著者 (5件)： Zou Xinbo (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Zhang Xu (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Lu Xing (Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Tang Chak Wah (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Lau Kei May (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 9  ページ： 1158-1161  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Si上のGaN系擬似垂直p-i-nダイオードの破壊耐久性を初めて報告した。アンクランプ誘導スイッチング試験セットアップを使用して,厚さ2μmのドリフト層,0.08mm²のデバイスは,最大0.73Aの突入電流と3mJの最大シンクエネルギーを維持することができた。周波数1kHzの複数の50,000回破壊から成る繰り返しアバランシェ試験の後,パラメータの漂流もデバイス劣化もなかった。高温では,絶縁破壊電圧は温度依存性がほとんどなく,トラップアシスト型の空間電荷制限電流伝導機構によって説明できた。反復試験および高温での良好な耐久性の品質により,Si上の擬似垂直GaN p-i-nダイオードは高電圧用の低コスト整流器を実現する大きな可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *破壊 ,  *耐久性 ,  *窒化ガリウム ,  *PINダイオード ,  *ウエハ【IC】 ,  降伏 ,  空間電荷制限電流
準シソーラス用語： *GaN ,  *Si基板 ,  アバランシェ降伏

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  擬似 ,  垂直 ,  GaN ,  ダイオード ,  破壊