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J-GLOBAL ID：201702221055946353   整理番号：17A0733748

ZNO: MN希釈膜の構造と強磁性特性の解析【JST・京大機械翻訳】

Structural and Ferromagnetic Characteristics of ZnO:Mn Thin Films

著者 (7件)： YU Wei (College of Physics Science and Technology, Hebei University) ,  ZHANG Li (College of Physics Science and Technology, Hebei University) ,  ZHANG Zi-cai (Industral & Commercial College, Hebei University) ,  YANG Li-hua (College of Physics Science and Technology, Hebei University) ,  TENG Xiao-yun (College of Physics Science and Technology, Hebei University) ,  ZHANG Jin-chuan (College of Physics Science and Technology, Hebei University) ,  FU Guang-sheng (College of Physics Science and Technology, Hebei University)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 38  号： 3  ページ： 685-688  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 異なるMNドーピング濃度をもつZNO薄膜(ZNO:MN)を,パルスレーザ蒸着(PLD)によりサファイア基板上に調製し,薄膜の磁気的性質に及ぼす浅缺陷準位の影響を調べた。結果は以下を示す。調製したZNO:MN薄膜は高C軸優先配向を持ち,室温強磁性を示した。MN含有量が増加すると,膜の結晶品質は増加し,結晶粒度は明らかに増加し,単位磁気イオン磁気モーメントは徐々に減少した。薄膜が示す強磁性は材料構造欠陥の本質的な反映に帰着できる。薄膜の電気伝導率の変化は薄膜成長過程で決定した結晶粒内部と結晶粒界の欠陥密度変化の競争を反映し、これに対応して、活性化エネルギーの変化は結晶粒内部のFERMI準位の位置が先に上昇し、その後低下することを反映した。薄膜のキャリア輸送は低温下での範囲のホッピングメカニズムを満たし、このメカニズムは材料の強磁性と密接な関係がある。近傍のMNイオンの比率の増加は薄膜の強磁性の減少に貢献した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒度 ,  薄膜 ,  活性化エネルギー ,  材料 ,  優先配向 ,  結晶粒 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *強磁性 ,  結晶粒界 ,  イオン ,  電気伝導率 ,  欠陥密度 ,  磁気モーメント ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 結晶品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ZnO:Mn films ,  room temperature ferromagnetism ,  structural defect

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  Mn ,  希釈 ,  強磁性 ,  解析