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J-GLOBAL ID：201702221081494159   整理番号：17A0598426

σ-Hammettパラメータ:ヘテロレプティック銅(I)錯体のフォトおよびエレクトロルミネセンス特性の両方を向上させる戦略

σ-Hammett parameter: a strategy to enhance both photo- and electro-luminescence features of heteroleptic copper(i) complexes

著者 (5件)： Weber Michael D. (Department of Chemistry and Pharmacy, University of Erlangen-Nuremberg (FAU), Egerlandstr. 3, D-91058 Erlangen, Germany. [e-mail]) ,  Viciano-Chumillas Marta ,  Armentano Donatella ,  Cano Joan ,  Costa Ruben D.
資料名： Dalton Transactions  (Dalton Transactions)
巻： 46  号： 19  ページ： 6312-6323  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0270A  ISSN： 1477-9226  CODEN： DTARAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,一連のヘテロレプティック銅(I)錯体,すなわち[Cu(N^∧N)(P^∧P)]⁺(N^∧NとP^∧P配位子は,それぞれR₂bipyとXantphosである)のフォトおよびエレクトロルミネセンス特性の両方に対する,σ-Hammettパラメータ(σ_p)の効果,すなわちビピリジン配位子(4,4′-R₂bipy(RはMeO,Me,H,およびNO₂である))のpara位での置換に起因するσ-供与効果を調べる。包括的な光物理的,理論的,および薄膜照明デバイス,すなわち発光型電気化学セル(LEC))研究により,σ_pとフォトルミネッセンス量子収率,励起状態寿命,および発光の最大値などのフォトおよびエレクトロルミネセンス特性,そしてそれぞれデバイスの明るさ,安定性,および有効性との間の明確な関係に気付く。最も関連性の高い知見として,最も負のσ_pを特徴とする基,すなわちMeO-による置換は.一連の錯体内での比較により前述のすべての性能指数の約5倍の向上を提供する。したがって,本研究はヘテロレプティック銅(I)錯体の合理的な配位子設計による,デバイス最適化のための新しい指針を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *銅錯体 ,  エレクトロルミネセンス ,  光ルミネセンス ,  量子収量 ,  励起状態 ,  反応器 ,  分子設計 ,  Hammett則 ,  窒素複素環化合物 ,  ホスフィン錯体 ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： ビピリジン誘導体 ,  電気化学セル ,  配位子設計

分類 (2件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  錯体のルミネセンス  (BM08095R)

物質索引 (5件)： 2,2′-ビピリジン ,  4,4′-ジニトロ-2,2′-ビピリジン ,  4,4′-ジメチル-2,2′-ビピリジン ,  4,4′-ジメトキシ-2,2′-ビピリジン ,  キサントホス

タイトルに関連する用語 (6件)： パラメータ ,  銅 ,  錯体 ,  フォト ,  エレクトロルミネセンス ,  戦略