12.3%の変換効率を持つGeを含むケステライト太陽電池の電圧欠損の改善

KIM Shinho; KIM Kang Min; TAMPO Hitoshi; SHIBATA Hajime; NIKI Shigeru

文献

J-GLOBAL ID：201702221299898623 整理番号：17A0717961

12.3%の変換効率を持つGeを含むケステライト太陽電池の電圧欠損の改善

Improvement of voltage deficit of Ge-incorporated kesterite solar cell with 12.3% conversion efficiency

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資料名：
巻： 9 号： 10 ページ： 102301.1-102301.4 発行年： 2016年10月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

12.3%に変換効率を持つCu₂Zn(Sn_1-xGe_x)Se₄薄膜太陽電池の改善された効率を実証する;この電池は在来のCZTGSe電池と較べて非常に改善された0.583Vの開放電圧(V_OC)欠損と0.73の曲線因子(FF)を示した。V_OC欠損は,Ge/(Sn+Se)比の制御によってバンドテーリングを減少させることによって改善されることが分かった。更に,高いFFは主として吸収体/バッファ界面および/または空間電荷領域中のキャリア再結合の現象によって起こり,一方,FFに及ぼす寄生抵抗の効果は非常に小さかった。(翻訳著者抄録)

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太陽電池

引用文献 (28件)：

W. Wang, M. T. Winkler, O. Gunawan, T. Gokmen, T. K. Todorov, Y. Zhu, and D. B. Mitzi, Adv. Eng. Mater. 4, 1301465 (2014).
M. A. Contreras, L. M. Mansfield, B. Egaas, J. Li, M. Romero, R. Noufi, E. Rudiger-Voigt, and W. Mannstadt, Prog. Photovoltaics 20, 843 (2012).
Y. S. Lee, T. Gershon, O. Gunawan, T. K. Todorov, T. Gokmen, Y. Virgus, and S. Guha, Adv. Eng. Mater. 5, 1401372 (2015).
S. Tajima, T. Itoh, H. Hazama, K. Ohishi, and R. Asahi, Appl. Phys. Express 8, 082302 (2015).
P. Jackson, D. Hariskos, E. Lotter, S. Paetel, R. Wuerz, R. Menner, W. Wischmann, and M. Powalla, Prog. Photovoltaics 19, 894 (2011).

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