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J-GLOBAL ID：201702222235629550   整理番号：17A0364762

欠陥欠陥と空格子点のMg(0001)表面上の水素の解離と拡散:密度汎関数理論研究【Powered by NICT】

Dissociation and diffusion of hydrogen on defect-free and vacancy defective Mg (0001) surfaces: A density functional theory study

著者 (6件)： Han Zongying (College of Chemical and Environmental Engineering, Shandong University of Science and Technology, Qingdao 266590, China) ,  Han Zongying (Union Research Center of Fuel Cell, School of Chemical and Environmental Engineering, China University of Mining and Technology, Beijing 100083, China) ,  Chen Haipeng (College of Chemical and Environmental Engineering, Shandong University of Science and Technology, Qingdao 266590, China) ,  Chen Haipeng (College of Mechanical and Electronic Engineering, Shandong University of Science and Technology, Qingdao 266590, China) ,  Zhou Shixue (College of Chemical and Environmental Engineering, Shandong University of Science and Technology, Qingdao 266590, China) ,  Zhou Shixue (College of Mechanical and Electronic Engineering, Shandong University of Science and Technology, Qingdao 266590, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 394  ページ： 371-377  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)を用いた第一原理計算は欠陥の無い錐体と空孔欠陥Mg(0001)表面上での水素の解離と拡散を研究するために実施した。結果は1.42eVと1.28eVのエネルギー障壁は,それぞれ無欠陥と空格子点欠陥Mg(0001)表面上のH_2解離の克服,Mg(0001)表面の反応性は空格子点欠陥に起因して増加した中程度であることを示唆する必要があることを示した。に加えて,空孔欠陥の存在は,地下への優先的なH原子拡散入口を変化させ,拡散エネルギー障壁を減少させる。興味ある所見は,マグネシウム表面からバルクへのH原子の最小エネルギー拡散経路はスタガード八面体および四面体格子間原子によって形成された螺旋状チャンネルであることである。表面内部層へのH原子浸透の計算拡散障壁は0.70eV以下であり,Mg(0001)表面上のH_2解離に対する活性化エネルギーよりもはるかに小さかった。H_2解離はマグネシウム水素化の律速段階であるとH拡散より可能性が高いことを示唆している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *水素 ,  律速 ,  四面体 ,  拡散障壁 ,  *密度汎関数法 ,  格子間原子 ,  活性化エネルギー ,  点欠陥 ,  *マグネシウム ,  水素化 ,  八面体
準シソーラス用語： 拡散経路 ,  原子拡散 ,  エネルギー障壁 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 水素貯蔵 ,  空格子点欠陥 ,  解離エネルギー障壁 ,  拡散経路

分類 (3件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 欠陥 ,  空格子点 ,  Mg ,  水素 ,  解離 ,  拡散 ,  密度汎関数理論 ,  研究