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J-GLOBAL ID：201702222525095935   整理番号：17A0539602

横型トンネル電界効果トランジスタの閾値電圧を規定する方法の提案

PROPOSAL OF THE POSSIBLE METHOD TO DEFINE THE THRESHOLD VOLTAGE OF LATERAL TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS

著者 (4件)： MORI Yoshiaki (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  SATO Shingo (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  OMURA Yasuhisa (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  MALLIK Abhijit (Univ. Calcutta, Kolkata, IND)
資料名： Science and Technology Reports of Kansai University  (Science and Technology Reports of Kansai University)
号： 59  ページ： 75-81  発行年： 2017年03月20日 
JST資料番号： F0565A  ISSN： 0453-2198  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横型トンネル電界効果トランジスタの閾値電圧を規定するための半経験的方法を提示する。この方法により,与えられた実際のバイアス条件やデバイスパラメータで,高い一般性をもった閾値条件を推定することができる。デバイスシミュレーションにより,閾値条件が物理的に解明されることが立証できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *電圧 ,  *半経験的方法 ,  計算機シミュレーション ,  相互コンダクタンス ,  横型
準シソーラス用語： デバイスシミュレーション ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  *閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 横型 ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  閾値電圧 ,  規定 ,  提案